伺服驅動器

使用 Wolfspeed 碳化矽設計嵌入式伺服驅動器

使用 Wolfspeed 碳化矽設計伺服驅動器可實現更小、更有效率且功率密集的伺服驅動器。 碳化矽還可以克服困擾 IGBT 的熱挑戰，進一步縮小驅動器的尺寸並延長系統壽命。

使用 Wolfspeed 650 V MOSFET 優化伺服驅動系統

與高速軟開關 IGBT 相比，Wolfspeed 650 V MOSFET 的傳導損耗大大降低，並且幾乎沒有開關損耗，從而顯著提高了嵌入式工業馬達驅動器的性能。

利用 Wolfspeed 碳化矽縮小伺服驅動器尺寸，同時提高高溫下的效率

即使散熱器小了 77%，SiC MOSFET 仍然比所有 Si IGBT 更低溫

25 kW 變頻器，Fsw = 8 kHz，減少 77% SiC MOSFET 散熱器：0.31L (1.6°C/W) 對比 1.37 L (0.73°C/W)

上圖表明，在具有 0.8 L 散熱器的 25 kW 逆變器中，碳化矽六開關 WolfPACK 模組與 IGBT 模組相比，效率有所提高。 隨著功率等級的增加，50 A 和 100 A 額定矽 IGBT 的接面溫度增加，導致它們失效，而 Wolfspeed 32 A 碳化矽 MOSFET 保持穩定並遠低於失效閾值。

即使在更高的開關頻率下，SiC 也能實現卓越的性能

25 kW 逆變器，Fsw = 16 kHz，較大的 Si IGBT 散熱器：1.37 L (0.7°C/W)，較小的 SiC 散熱器 0.8 L (0.99°C/W)25 kW 逆變器，Fsw = 16 kHz，較大的 Si IGBT 散熱器：1.37 L (0.7°C/W)，較小的 SiC 散熱器 0.8 L (0.99°C/W)

在 16kHz 開關頻率下，儘管使用的散熱器尺寸比 32 A Wolfspeed 碳化矽 MOSFET 大 41%，但額定值 100 A 和 50 A 的矽 IGBT 會分別在超過 10 kW 和 15 kW 時出現熱故障。

使用 SpeedFit^TM 模擬碳化矽效率