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  • Wolfspeed 推出全新 Gen 4 MOSFET 技術平台,突破應用上高功率的性能
企業, 功率

Wolfspeed 推出全新 Gen 4 MOSFET 技術平台,突破應用上高功率的性能

Jan 22, 2025
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  • Wolfspeed 推出全新 Gen 4 MOSFET 技術平台,在應用上展現突破性高功率性能
  • 全方位的效率提升,有效降低系統成本與開發時間,延長使用週期,為碳化矽關鍵技術的重大進展
Wolfspeed Gen 4 Promotional Image

2025 年 1 月 22 日,美國北卡羅來納州達勒姆市-全球碳化矽技術領導者 Wolfspeed, Inc.(美國紐約證券交易所代碼:WOLF)今日正式推出全新 Gen 4 技術平台,該平台進一步提升效率並兼具耐用性,同時能降低系統成本與開發時間。Gen 4 專為進化高功率設計中常見的切換特性及設計挑戰而打造,為 Wolfspeed 的產品線奠定長期發展基礎,包括功率模組、分立元件和裸晶產品。目前產品涵蓋 750 V、1200 V 和 2300 V 電壓等級。

Wolfspeed 功率產品線資深副總裁 Jay Cameron 表示:「我們理解每項設計都有其獨特需求。自 Gen 4 設計起始點,我們的目標便是提升實際運行上的整體系統能效,專注實現系統層級最大性能。Gen 4 使設計工程師得以創造出高效且耐用的系統,即使在嚴苛的運行環境上亦能以更低的系統成本達成目標。」

碳化矽技術是功率元件以及半導體產業成長最快的領域之一。碳化矽相較於矽更適合於高功率應用-例如電動車動力系統、交通、再生能源系統、電池儲能,人工智慧暨資料中心-上述應用均能大幅提升效能並降低系統成本。

由於全球致力於找尋兼具高效率且環保的解決方案,因應日益成長的高電壓,高功率需求,正持續進行策略性投資,以鞏固技術優勢,同時推動關鍵技術上的創新。

美國公用事業級逆變器製造商 EPC Power 的總裁兼產品長 Devin Dilley 表示:「創新科技為商業發展創造了全新商機。Wolfspeed 全新 Gen 4 碳化矽技術使得 EPC Power 在全球能源創造與儲能技術達成顛覆性變革。」

Wolfspeed 執行董事長 Tom Werner 表示:「Wolfspeed 是碳化矽技術的全球領導者,我們始終秉持創新並持續的精神,將我們的碳化矽解決方案推向越來越多的行業,應對日益嚴苛的使用需求。我們的 Gen 4 平台將採用最高效能的 200 mm 晶圓,達成前所未有的產品規模及產量目標。」

Wolfspeed Gen 4 平台旨在全面提升系統能效並延長系統壽命,即使在最嚴苛的環境中也能穩定運行,同時降低系統成本與開發時間。這項技術將為汽車、工業及再生能源系統設計帶來大幅提升的效能,其核心優勢包括:

  • 全面的系統能效:於操作溫度下,導通電阻降低 21%,切換損耗減少 15%
  • 耐用性:提升可靠度,包括高達 2.3 μS 的短路耐受時間,提供額外安全裕度
  • 降低系統成本:簡化設計流程,減少系統成本及縮短開發時間

產品供應

Wolfspeed Gen 4 產品系列目前提供 750 V、1200 V 和 2300 V,涵蓋功率模組、分立元件以及裸晶產品選項。新增產品,包括其他封裝規格與 RDSON 範圍,預計將於 2025 年至 2026 年初陸續推出。

Gen 4 技術資料表內容:

最耐用性的設計,從容應對最嚴苛環境

隨著汽車、工業和再生能源製造商持續推動產品全面的電氣化,可靠性與耐用性成為了關鍵要素。Wolfspeed Gen 4 平台充分體現以耐用性為關鍵的核心設計理念。

Gen 4 具備高達 2.3 μS 的短路耐受時間,為關鍵應用提供額外安全裕度。此外,與過往科技相比,該平台的故障時間 (FIT) 比率提升了100 倍,確保在不同海拔條件下依然穩定。其體二極體設計進一步提升系統耐用性,實現更快的切換特性、更低的損耗,並將 VDS 過衝降低 80%。Gen 4 裸芯片已通過認證,可在 185 °C 的環境下穩定運行,並可在 200 °C 的高溫條件下於一定時間內操作。這項優點使設計上享有更高的彈性,讓他們能將設計性能發揮到極致。

全面系統效率:全方位提升系統效能

Gen 4 樹立了系統能效的新標竿。針對軟開關及硬開關應用,Gen 4 在運轉溫度下將導通電阻降低達 21%,硬開關應用的切換損耗則降低高達 15%。

這些效率的提升,輔以 Gen 4 降低的高溫導通電阻,進一步鞏固了 Wolfspeed 對現實應用條件下可靠性能的承諾

更低的系統成本:降低系統成本並縮短開發時間

為解決系統成本的挑戰,Wolfspeed 的全新平台支援使用更小型,少量、並具成本效益的被動元件與濾波器-最終縮短了開發時間並降低整體成本。此外,Gen 4 在相同體積下可提升高達 30% 的功率輸出。Gen 4 整合其創新的體二極體設計的性能,大幅降低反向恢復過程中的 EMI,簡化了 EMI 設計流程,支援使用更小型的 EMI 濾波器。高達 600倍 的電容比例設計,讓 Gen 4 MOSFET 元件在高 dV/dt 操作條件下能更安全、有效的切換特性,且無寄生的電壓過衝現象。

關於 Wolfspeed, Inc.

Wolfspeed(美國紐約證券交易所代碼:WOLF)是推動碳化矽技術的全球普及度與市場領導者,協助實現全球最具顛覆性的創新。我們是碳化矽技術先驅及全球最先進半導體技術的創造者,致力於創造更美好的世界。藉由提供涵蓋多種應用的碳化矽材料、功率模組、分立元件及裸芯片產品,我們會帶給您「實現創造的力量」(The Power to Make It Real™)。欲深入了解,請前往:www.wolfspeed.com。

如需查看此新聞英文通稿的原稿內容,敬請瀏覽:

https://www.wolfspeed.com/company/news-events/news/wolfspeed-launches-new-gen-4-mosfet-technology-platform-to-deliver-breakthrough-performance-in-real-world-conditions-for-high-power-applications/ 本譯文僅供參考,只有英文原稿才可以被視為權威資料來源。

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