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    電源應用

    工業用與商業型太陽能系統

    可提升可靠性並降低系統總成本,同時滿足新興的效率標準。

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    碳化矽可實現更小巧也更高效的大規模太陽能

    工業與商業設施通常擁有廣闊且平坦的屋頂空間,正是安裝大規模太陽能系統的絕佳場所,可以產生乾淨且低廉的太陽能電力。這些系統受益於太陽能逆變器中的 Wolfspeed 碳化矽 (Silicon Carbide),來提高系統功率密度50% ,並具有更簡單的電路拓撲可降低元件數量並提高可靠性,同時降低系統總成本,並滿足新興的效率標準。


    Wolfspeed SiC 裝置能減少系統尺寸、重量與成本


    Product shot of the WolfPACK SiC Power Module in the FM3 package.
    Wolfspeed WolfPACK™ 碳化矽功率模組提供了快速設計執行、可擴充性與低組裝成本的絕佳解決方案。

    三相太陽能逆變器

    大型商業與工業太陽能系統需要強大的 15 kW 至 >200 kW 的三相太陽能逆變器,將太陽能光電板產生的直流電轉換為可併網的交流電。大多數三相串列式逆變器採用離散式功率半導體架構,具有可擴展性和靈活性,可提供 408 V 三相交流輸出與 500-1100 V 內部總線電壓。 能銜接離散與功率模組的 WolfPACK™ 模組也可以提供最低雜散電感的高額定電流。

    用 Wolfspeed 碳化矽取代三相逆變器中的傳統矽可以提高 50% 的功率密度,透過減少元件數量與組裝成本來創造更簡單的電路拓撲,並降低整體逆變器尺寸和總系統成本。使用 Wolfspeed 碳化矽時即可實現整體逆變器尺寸與重量的大幅降低。 矽 50 kW 逆變器的重量平均為 380 磅,而 Wolfspeed 碳化矽 MOSFET 與二極體 60 kW 逆變器的重量僅有 72 磅,而且尺寸小到一個人就可以將其搬運到安裝地點。

    與 IGBT+SiC 混合式解決方案相比,在三相逆變器中使用 Wolfspeeds 1200 V MOSFET 與 1200 V 肖特基二極體創造完整的碳化矽解決方案可將總成本降低高達 30%,並大幅提高切換頻率、效率和功率密度。


    Product Shot of Wolfspeed's Reference Design of a 60 kW Interleaved Boost Converter
    Wolfspeed 的 60 kW 交錯式升壓轉換器的參考設計展示了 4 相交錯式升壓轉換器中的 Wolfspeed C3M™ 碳化矽 MOSFET。

    適用於工業和商業太陽能系統的 MPPT 升壓電路

    商業和工業太陽能系統也利用 MPPT 升壓轉換器達到功率優化,來平穩太陽能板之間產生的可變電壓,並為內部總線生成更高的電壓。例如在 60 kW 系統的 MPPT 升壓中使用 Wolfspeed 碳化矽 MOSFET 與二極體,可以將整體效率提高 1.8%、增加功率密度並降低整體系統成本。

    在工業與商業 MPPT 升壓轉換器中採用 1200 V Wolfspeed MOSFET 和 1200 V 肖特基二極體的全 SiC 解決方案可將功率密度提高 1.1%,並實現 99.49% 的效率。 此外,Wolfspeed 的 1200 V MOSFET 與二極體可提供業界最高的額定運作溫度,使其成為高熱環境絕佳選擇,其應用包括屋頂上的太陽能陣列。

    使用 Wolfspeed SiC 提高可靠性,給您更乾淨的能源

    Wolfspeed 碳化矽 在最即使苛刻嚴苛的電力應用中,仍具有令人難以置信的可靠性與效率。

    耗損最高減少 30%
    功率密度提高最多 50%
    系統成本節省最多 10%

    工業用與商業型太陽能系統的特色產品

    工業用與商業型太陽能系統利用太陽的能量為大型商業和工業設施提供動力。在這些系統中使用 Wolfspeed 碳化矽可提升能源效率、降低切換損耗,同時滿足新興的能源效率標準。

    1200 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs
    Wolfspeed 的 1200 V 碳化矽 MOSFET 系列針對高功率應用進行優化,並具有多種導通電阻和封裝選項。
    1200 V Discrete Silicon Carbide Schottky Diodes
    Wolfspeed 的 1200 V 分離式碳化矽肖特基二極體採用 MPS (合併式 PiN 肖特基) 設計,因此更堅固和可靠。
    62 mm BM2 Silicon Carbide Half-Bridge Power Modules
    Wolfspeed 的 BM2 功率模組平台提供了碳化矽的系統優勢,並保有強大的工業標準 62 mm 模組封裝。

    方塊圖

    • 這個 800 V 系統適用的 T-型拓撲利用 1200 V MOSFET 串聯或 1200 V 半橋功率模組搭配 650V 或 750 V MOSFET,以降低整體系統損耗。

      Power Solar T Type inverter

      離散式碳化矽 MOSFET

      1200 V 離散式碳化矽 MOSFET

      Wolfspeed 1200 V 離散式碳化矽 (SiC) 肖特基二極體採用 MPS (合併式 PiN 肖特基) 設計,比標準肖特基障壁二極體更堅固可靠。

      Composite image of the three 1200V packages used for Wolfspeed's Discrete Silicon Carbide MOSFETs
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      適用於側切換的 C3M 650 V / 750 V 系列

      650 V 離散式碳化矽 MOSFET

      我們的碳化矽 MOSFET 可取代矽元件,具備更高的耐壓能力和雪崩性能,可降低切換損耗和導通損耗。

      Composite image of the four 650V packages used for Wolfspeed's Discrete Silicon Carbide MOSFETs
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      750 V 離散式碳化矽 MOSFET

      Wolfspeed 碳化矽 (SiC) MOSFET 具有更高的切換頻率,並縮小電感器、電容器、濾波器和變壓器等元件的尺寸。

      Composite image of the front and back sides of a Wolfspeed discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFET in a TO-247-4 LP package
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      碳化矽功率模組

      Wolfspeed WolfPACK™ 1200 V 半橋系列

      對於想要採用小巧的產業標準佔位面積,又要提高效率和功率密度的設計人員而言,Wolfspeed WolfPACK™ 模組是理想的選擇。

      Product shots of the WolfPACK SiC Power Modules in the FM3 & GM3 packages.
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      Wolfspeed WolfPACK™ 1200 V T-型模組

      對於想要採用小巧的產業標準佔位面積,又要提高效率和功率密度的設計人員而言,Wolfspeed WolfPACK™ 模組是理想的選擇。

      Product shots of the WolfPACK SiC Power Modules in the FM3 & GM3 packages.
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    • 創新型 2300 V 模組採用 200 mm 碳化矽技術,助力簡化系統架構,同步實現業界領先的開關性能,改善元件與系統的耐用性。

      Six-Switches-2-level-inverter

      碳化矽功率模組

      適用於 1500 V 系統的 WolfPACK 2.3 KV 半橋模組

      對於想要採用小巧的產業標準佔位面積,又要提高效率和功率密度的設計人員而言,Wolfspeed WolfPACK™ 模組是理想的選擇。

      Wolfspeed WolfPACK™ 2.3 kV Silicon Carbide power module GM4 & GM4T package
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      3300 V LM 碳化矽半橋功率模組

      對於想要採用小巧的產業標準佔位面積,又要提高效率和功率密度的設計人員而言,Wolfspeed WolfPACK™ 模組是理想的選擇。

      Product image of the Wolfspeed Wolfpack SiC Power Module in the FM3 package.
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      離散式碳化矽 MOSFET

      適用於 950 V / 1000 V 系統的 C3M 1200V 系列

      我們的碳化矽 MOSFET 可取代矽元件,具備更高的耐壓能力和雪崩性能,可降低切換損耗和導通損耗。

      Composite image of the front and back sides of a Wolfspeed discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFET in a TO-247-4 LP package
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    • 此簡化的升壓轉換器會將 650 V 或 750 V MOSFET (用於單相系統) 或 1200 V MOSFET (用於三相系統) 與互補式二極體搭配使用,以提供完整的碳化矽升壓轉換器解決方案。

      2-level-Boost-Converter

      離散式碳化矽肖特基二極管

      適用於單相的 C6D 650 V 系列

      Wolfspeed 650 V 碳化矽 (SiC) 肖特基二極體技術針對高效能電力電子應用進行最佳化,包括伺服器電源供應器、電動車 EV 快速充電系統、儲能系統、太陽能 (PV) 逆變器、消費性電子產品等。

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      適用於三相的 C4D 1200 V 系列

      Wolfspeed 擁有最廣泛的碳化矽 (SiC) 肖特基二極體產品組合,超過 12 兆小時的實際運作時數、最低的 FIT 率和 30 年以上的碳化矽經驗,加上最快速的交貨時間。

      Image that includes both the front and back of the TO-252-2 package used for Wolfspeed's discrete Silicon Carbide power devices including SiC MOSFETs and Schottky diodes.
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      離散式碳化矽 MOSFET

      適用於側切換的 C3M 650 V / 750 V 系列

      我們的碳化矽 MOSFET 可取代矽元件,具備更高的耐壓能力和雪崩性能,可降低切換損耗和導通損耗。

      Angled product photo of the front and back of the TO-247-3 package used for Wolfspeed's Discrete Silicon Carbide MOSFETs.
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      適用於三相的 1200 V 系列

      我們的碳化矽 MOSFET 可取代矽元件,具備更高的耐壓能力和雪崩性能,可降低切換損耗和導通損耗。

      Angled product photo of the front and back of the TO-247-3 package used for Wolfspeed's Discrete Silicon Carbide MOSFETs.
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    • 在此設計中,採用碳化矽的對稱升壓轉換器可提高電壓增益、提升效率並增強整體系統效能。

      3-level-Boost-Converter

      離散式碳化矽 MOSFET

      適用於三相的 1200 V 系列

      Wolfspeed 碳化矽 (SiC) MOSFET 具有更高的切換頻率,並縮小電感器、電容器、濾波器和變壓器等元件的尺寸。

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      離散式碳化矽肖特基二極管

      適用於三相的 C4D 1200 V 系列

      Wolfspeed 擁有最廣泛的碳化矽 (SiC) 肖特基二極體產品組合,超過 12 兆小時的實際運作時數、最低的 FIT 率和 30 年以上的碳化矽經驗,加上最快速的交貨時間。

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    • 此 2 階三相逆變器提供簡化的功率拓撲,將元件數量降至最低。

      2-level-three-phase-inverter-renewable-energy

      碳化矽功率模組

      對於想要採用小巧的產業標準佔位面積,又要提高效率和功率密度的設計人員而言,Wolfspeed WolfPACK™ 模組是理想的選擇。

      適用於 1000 V 系統的 WolfPACK 1.2KV 半橋模組

      對於想要採用小巧的產業標準佔位面積,又要提高效率和功率密度的設計人員而言,Wolfspeed WolfPACK™ 模組是理想的選擇。

      Product image of the Wolfspeed Wolfpack SiC Power Module in the FM3 package.
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      適用於 1000 V 系統的 WolfPACK 1.2KV 六管集成模組

      對於想要採用小巧的產業標準佔位面積,又要提高效率和功率密度的設計人員而言,Wolfspeed WolfPACK™ 模組是理想的選擇。

      Product image of the Wolfspeed Wolfpack SiC Power Module in the FM3 package.
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      離散式碳化矽 MOSFET

      適用於三相的 1200 V 系列

      Wolfspeed 碳化矽 (SiC) MOSFET 具有更高的切換頻率,並縮小電感器、電容器、濾波器和變壓器等元件的尺寸。

      Composite image of the front and back sides of a Wolfspeed discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFET in a TO-247-4 LP package
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    • 三相主動中性點箝位拓撲結構可讓 1500 V 匯流排系統實現高效率和諧波改善。

      3-phase-inverter-for-1500-V-1000-V-system

      碳化矽功率模組

      適用於 1500 V 系統的 WolfPACK 1.2KV 半橋模組

      碳化矽的實作變得簡單、小巧、可靠

      Product shots of the WolfPACK SiC Power Modules in the FM3 & GM3 packages.
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      離散式碳化矽 MOSFET

      適用於 1500 V 系統的 C3M 1200 V 系列

      我們的碳化矽 MOSFET 可取代矽元件,具備更高的耐壓能力和雪崩性能,可降低切換損耗和導通損耗。

      Composite image of the front and back sides of a Wolfspeed discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFET in a TO-247-4 LP package
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      適用於 1000V 系統的 C3M 650 V / 750 V 系列

      我們的碳化矽 MOSFET 可取代矽元件,具備更高的耐壓能力和雪崩性能,可降低切換損耗和導通損耗。

      Image that includes both the front and back of the TO-247-4 package used for Wolfspeed's discrete Silicon Carbide power devices including SiC MOSFETs and Schottky diodes.
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    參考設計

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    分離/模塊
    封裝
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    設計由
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    CRD-15DD17P
    15 W Flyback Auxiliary Power Supply
    DC to DC
    Flyback
    0.015kW
    Discrete
    TO-263-7
    C2M1000170J
    Wolfspeed
    Product Shot of Wolfspeed's Reference Design of a Wide Input Voltage Range (300 VDC – 1200 VDC) 15W Flyback Auxiliary Power Supply Board
    CRD-22AD12N
    22 kW Bi-Directional Active Front End (AFE)
    AC to DC
    Three-Phase 2-Level
    22kW
    Discrete
    TO-247-4
    C3M0032120K
    Wolfspeed
    Product Shot of Wolfspeed's Reference Design of a 22kW Bi-directional High Efficiency Active Front End (AFE) Converter
    CRD-60DD12N
    60 kW Interleaved Boost Converter
    DC to DC
    Boost - Asynchronous
    60kW
    Discrete
    TO-247-4
    C3M0075120K
    C4D10120D
    Wolfspeed
    Product Shot of Wolfspeed's Reference Design of a 60 kW Interleaved Boost Converter

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