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    電源應用

    住宅型與輕量商業型太陽能系統

    Wolfspeed 碳化矽正在實現更小巧、更輕量和更實惠的住宅型太陽能系統。

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    碳化矽在為全球住家提供電力

    每一個家庭所需電力都不同。Wolfspeed 的碳化矽元件讓更小、更高效且功率密集的住宅太陽能系統成為可能,意味著乾淨能源比以往更加經濟、可靠且有彈性,同時滿足新興的效率標準

    Graphic showing string and micro inverter solar systems with photo and two dimensional examples
    1.串列式逆變器
    2.微型逆變器

    Composite image of the four 650V packages used for Wolfspeed's Discrete Silicon Carbide MOSFETs
    Wolfspeed 的 650 V 離散碳化矽 MOSFET 與二極體具有業界最低導通電阻與切換損耗,給您最高效率與功率密度。

    微型與單相逆變器

    太陽能逆變器是住宅太陽能系統中不可或缺的一部分,可將太陽能光電板產生的直流電轉換為可併網的交流電。微型逆變器用於住宅環境中,為小於 7 kW 的系統中 1-4 個太陽能板轉換電力。單相串列式逆變器可在 5-15 kW 的系統中連接由 5-50 個太陽能板組成的大型太陽能陣列,非常適合大型住宅與輕型商業應用。

    在住宅太陽能逆變器中使用 Wolfspeed 碳化矽 MOSFET 可以創造更高的功率密度與更低的切換損耗。例如在7 kW 住宅單相逆變器中用 Wolfspeed 的 650 V MOSFET 取代傳統 IGBT 即可讓效率提高 0.4%,讓功率密度大福增加 (3 kW/L vs. 2.5 kW/L),並達到令人驚艷的 48 kHz 切換頻率,比使用矽高出整整 32 kHz。 Wolfspeed 的 C3M0045056K MOSFET 是單相系統的主要開關,可提供領先業界的導通電阻溫度性能以及最高可降低 30% 的峰值反向恢復電流。


    Product Shot of Wolfspeed's Reference Design of a 60 kW Interleaved Boost Converter
    Wolfspeed 的 60 kW 交錯式升壓轉換器的參考設計展示了 4 相交錯式升壓轉換器中的 Wolfspeed C3M™ 碳化矽 MOSFET。

    用於住宅/輕型商業系統的串列逆變器

    在住宅與輕型商業太陽能板陣列中使用 MPPT 升壓轉換器可擷取太陽能板之間產生的可變電壓,並為內部產生一穩定的更高電壓。碳化矽肖特基二極體是一種成熟的經濟高效方法,可將 MPPT 升壓電路效能提升最高。即便是在最具挑戰性的設計中,增加碳化矽 MOSFET 也可以提供更高效率。將 650 V 碳化矽 MOSFET 與 650 V 肖特基二極體加以結合則可將 7 kW 住宅系統塊的效率進一步提高至 1.8%,且無需變更設計。

    使用 Wolfspeed SiC 提高可靠性,給您更乾淨的能源

    Wolfspeed 碳化矽 在最即使嚴苛的電力應用中,仍具有令人難以置信的可靠性與效率。 這是因為 Wolfspeed 碳化矽具有以下特性:

    耗損最高減少 30%
    功率密度提高最多 50%
    系統成本節省最多 10%

    用於太陽能系統的 Wolfspeed 碳化矽組件

    住宅型和輕量商業型太陽能系統利用太陽的能量為家庭和小型企業提供動力。在這些系統中使用 Wolfspeed 碳化矽元件可提升能源效率、降低切換損耗,同時滿足新興的能源效率標準。

    650 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs
    Wolfspeed 的 650 V 分立式碳化矽 MOSFET 採用 TO-Leadless (TOLL) 封裝,可實現高效率和高功率密度。
    650 V Discrete Silicon Carbide Schottky Diodes
    Wolfspeed 的 650 V 分離式碳化矽肖特基二極體針對高性能電力電子應用進行優化。

    方塊圖

    • 這個 800 V 系統適用的 T-型拓撲利用 1200 V MOSFET 串聯或 1200 V 半橋功率模組搭配 650V 或 750 V MOSFET,以降低整體系統損耗。

      Power Solar T Type inverter

      離散式碳化矽 MOSFET

      1200 V 離散式碳化矽 MOSFET

      Wolfspeed 1200 V 離散式碳化矽 (SiC) 肖特基二極體採用 MPS (合併式 PiN 肖特基) 設計,比標準肖特基障壁二極體更堅固可靠。

      Composite image of the three 1200V packages used for Wolfspeed's Discrete Silicon Carbide MOSFETs
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      適用於側切換的 C3M 650 V / 750 V 系列

      650 V 離散式碳化矽 MOSFET

      我們的碳化矽 MOSFET 可取代矽元件,具備更高的耐壓能力和雪崩性能,可降低切換損耗和導通損耗。

      Composite image of the four 650V packages used for Wolfspeed's Discrete Silicon Carbide MOSFETs
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      750 V 離散式碳化矽 MOSFET

      Wolfspeed 碳化矽 (SiC) MOSFET 具有更高的切換頻率,並縮小電感器、電容器、濾波器和變壓器等元件的尺寸。

      Composite image of the front and back sides of a Wolfspeed discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFET in a TO-247-4 LP package
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      碳化矽功率模組

      Wolfspeed WolfPACK™ 1200 V 半橋系列

      對於想要採用小巧的產業標準佔位面積,又要提高效率和功率密度的設計人員而言,Wolfspeed WolfPACK™ 模組是理想的選擇。

      Product shots of the WolfPACK SiC Power Modules in the FM3 & GM3 packages.
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      Wolfspeed WolfPACK™ 1200 V T-型模組

      對於想要採用小巧的產業標準佔位面積,又要提高效率和功率密度的設計人員而言,Wolfspeed WolfPACK™ 模組是理想的選擇。

      Product shots of the WolfPACK SiC Power Modules in the FM3 & GM3 packages.
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    • 在功率小於 7 kW 的系統中,微型組串逆變器易於分佈,實現高運行時間和低維護成本,同時為 1-4 塊光伏面板提供功率轉換。

      Micro-String-Inverter-Single-Phase

      離散式碳化矽 MOSFET

      650 V / 750 V C3M 系列

      我們的碳化矽 MOSFET 可取代矽元件,具備更高的耐壓能力和雪崩性能,可降低切換損耗和導通損耗。

      Composite image of the front and back sides of a Wolfspeed discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFET in a TO-247-4 LP package
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      離散式碳化矽肖特基二極管

      1200 V 離散式肖特基二極體

      Wolfspeed 1200 V 離散式碳化矽 (SiC) 肖特基二極體採用 MPS (合併式 PiN 肖特基) 設計,比標準肖特基障壁二極體更堅固可靠。

      Composite Image of the four 1200V packages used for Wolfspeed's discrete Silicon Carbide Schottky diodes.
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    • 太陽能光伏系統中的三相微型逆變器比單相系統具有更高的能效和更強的輸出功率能力。

      Micro-String-Inverter-Single-Phase

      Silicon Carbide MOSFETs

      1200 V C3M Series

      Our Silicon Carbide MOSFETs replace silicon devices to enable lower switching and conduction losses with higher blocking voltages and avalanche capability.

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      Silicon Carbide Schottky Diodes

      1200 V Discrete Schottky Diodes

      Wolfspeed’s 1200 V Discrete Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes feature the MPS (Merged PiN Schottky) design which is more robust and reliable than standard Schottky barrier diodes.

      Composite Image of the four 1200V packages used for Wolfspeed's discrete Silicon Carbide Schottky diodes.
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    • 採用混合碳化矽 MOSFET 和 IGBT 的方法,可以帶來更高的效率和能量密度顯著提升。

      Heric-Converter

      離散式碳化矽 MOSFET

      650 V / 750 V C3M 系列

      我們的碳化矽 MOSFET 可取代矽元件,具備更高的耐壓能力和雪崩性能,可降低切換損耗和導通損耗。

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    • 使用搭配混合式 SiC 和 IGBT 解決方案的 H6 轉換器可提高效率、改善熱性能和耐用性,並實現更小巧、成本效益更高的設計。

      H6-Converter

      離散式碳化矽 MOSFET

      650 V / 750 V C3M 系列

      我們的碳化矽 MOSFET 可取代矽元件,具備更高的耐壓能力和雪崩性能,可降低切換損耗和導通損耗。

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      離散式碳化矽肖特基二極管

      650 V C6D 系列

      Wolfspeed 650 V 碳化矽 (SiC) 肖特基二極體技術針對高效能電力電子應用進行最佳化,包括伺服器電源供應器、電動車 EV 快速充電系統、儲能系統、太陽能 (PV) 逆變器、消費性電子產品等。

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    • 此簡化的升壓轉換器會將 650 V 或 750 V MOSFET (用於單相系統) 或 1200 V MOSFET (用於三相系統) 與互補式二極體搭配使用,以提供完整的碳化矽升壓轉換器解決方案。

      2-level-Boost-Converter

      離散式碳化矽肖特基二極管

      適用於單相的 C6D 650 V 系列

      Wolfspeed 650 V 碳化矽 (SiC) 肖特基二極體技術針對高效能電力電子應用進行最佳化,包括伺服器電源供應器、電動車 EV 快速充電系統、儲能系統、太陽能 (PV) 逆變器、消費性電子產品等。

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      適用於三相的 C4D 1200 V 系列

      Wolfspeed 擁有最廣泛的碳化矽 (SiC) 肖特基二極體產品組合,超過 12 兆小時的實際運作時數、最低的 FIT 率和 30 年以上的碳化矽經驗,加上最快速的交貨時間。

      Image that includes both the front and back of the TO-252-2 package used for Wolfspeed's discrete Silicon Carbide power devices including SiC MOSFETs and Schottky diodes.
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      離散式碳化矽 MOSFET

      適用於側切換的 C3M 650 V / 750 V 系列

      我們的碳化矽 MOSFET 可取代矽元件,具備更高的耐壓能力和雪崩性能,可降低切換損耗和導通損耗。

      Angled product photo of the front and back of the TO-247-3 package used for Wolfspeed's Discrete Silicon Carbide MOSFETs.
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      適用於三相的 1200 V 系列

      我們的碳化矽 MOSFET 可取代矽元件,具備更高的耐壓能力和雪崩性能,可降低切換損耗和導通損耗。

      Angled product photo of the front and back of the TO-247-3 package used for Wolfspeed's Discrete Silicon Carbide MOSFETs.
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    • 此 2 階三相逆變器提供簡化的功率拓撲,將元件數量降至最低。

      2-level-three-phase-inverter-renewable-energy

      碳化矽功率模組

      對於想要採用小巧的產業標準佔位面積,又要提高效率和功率密度的設計人員而言,Wolfspeed WolfPACK™ 模組是理想的選擇。

      適用於 1000 V 系統的 WolfPACK 1.2KV 半橋模組

      對於想要採用小巧的產業標準佔位面積,又要提高效率和功率密度的設計人員而言,Wolfspeed WolfPACK™ 模組是理想的選擇。

      Product image of the Wolfspeed Wolfpack SiC Power Module in the FM3 package.
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      適用於 1000 V 系統的 WolfPACK 1.2KV 六管集成模組

      對於想要採用小巧的產業標準佔位面積,又要提高效率和功率密度的設計人員而言,Wolfspeed WolfPACK™ 模組是理想的選擇。

      Product image of the Wolfspeed Wolfpack SiC Power Module in the FM3 package.
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      離散式碳化矽 MOSFET

      適用於三相的 1200 V 系列

      Wolfspeed 碳化矽 (SiC) MOSFET 具有更高的切換頻率,並縮小電感器、電容器、濾波器和變壓器等元件的尺寸。

      Composite image of the front and back sides of a Wolfspeed discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFET in a TO-247-4 LP package
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    • 三相主動中性點箝位拓撲結構可讓 1500 V 匯流排系統實現高效率和諧波改善。

      3-phase-inverter-for-1500-V-1000-V-system

      碳化矽功率模組

      適用於 1500 V 系統的 WolfPACK 1.2KV 半橋模組

      碳化矽的實作變得簡單、小巧、可靠

      Product shots of the WolfPACK SiC Power Modules in the FM3 & GM3 packages.
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      離散式碳化矽 MOSFET

      適用於 1500 V 系統的 C3M 1200 V 系列

      我們的碳化矽 MOSFET 可取代矽元件,具備更高的耐壓能力和雪崩性能,可降低切換損耗和導通損耗。

      Composite image of the front and back sides of a Wolfspeed discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFET in a TO-247-4 LP package
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      適用於 1000V 系統的 C3M 650 V / 750 V 系列

      我們的碳化矽 MOSFET 可取代矽元件,具備更高的耐壓能力和雪崩性能,可降低切換損耗和導通損耗。

      Image that includes both the front and back of the TO-247-4 package used for Wolfspeed's discrete Silicon Carbide power devices including SiC MOSFETs and Schottky diodes.
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    CRD-15DD17P
    15 W Flyback Auxiliary Power Supply
    DC to DC
    Flyback
    0.015kW
    Discrete
    TO-263-7
    C2M1000170J
    Wolfspeed
    Product Shot of Wolfspeed's Reference Design of a Wide Input Voltage Range (300 VDC – 1200 VDC) 15W Flyback Auxiliary Power Supply Board

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    運用 Wolfspeed 全新 1700 V MOSFET 科技,全面革新輔助電源系統的耐用性與成本效益

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