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    功率应用

    户用和轻型商业太阳能系统

    Wolfspeed 碳化硅正在实现更小型、更轻量且 更经济的户用太阳能系统。

    • 概述
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    • 特色参考设计
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    • 特色参考设计

    碳化硅赋能全球家庭用电

    每个家庭对能源的需求都是独一无二的。Wolfspeed 的碳化硅器件可助力打造更小型、更高效、更高功率密度的户用太阳能系统,这意味着如今的清洁能源比以往任何时候都更经济、更可靠、更具韧性,同时还能满足多种新出现的效率标准。

    Graphic showing residential inverters in simplified Chinese.

    Wolfspeed 的 650 V 分立碳化硅 MOSFET 和二极管具有业内最低的导通电阻和开关损耗,可实现效率和功率密度的最大化。

    微型和单相逆变器

    太阳能逆变器是户用太阳能系统中不可或缺的一部分,能够将光伏电池板产生的直流电转换为可并网的交流电。微型逆变器用于户用环境,可为功率小于7 kW 的系统中的 1-4 块太阳能电池板转换电力。单相组串式逆变器可连接 5-15 kW 系统中由 5-50 块太阳能电池板组成的大型太阳能电池阵列,非常适合大型户用和轻型商业应用场景。

    在户用太阳能逆变器中使用 Wolfspeed 碳化硅 MOSFET,可提高功率密度并降低开关损耗。例如,在一台 7 kW 的户用单相逆变器中使用 Wolfspeed 的650 V MOSFET取代传统 IGBT 后,逆变器效率提高 0.4%,功率密度显著增加(从 2.5 kW/L 提升至 3 kW/L),并且开关频率达到了惊人的 48 kHz,比使用硅器件时的开关频率高出整整 32 kHz。Wolfspeed 的C3M0045056K MOSFET是一款适用于单相系统的关键开关,具有在温度范围内出色的导通电阻特性,以及降低高达 30% 的峰值反向恢复电流。


    Product Shot of Wolfspeed's Reference Design of a 60 kW Interleaved Boost Converter
    Wolfspeed 的 60 kW 交错并联升压转换器的参考设计中展示了 Wolfspeed 的 C3M™ 碳化硅 MOSFET 在四相交错并联升压转换器中的应用。

    适用于户用/轻型商业系统的组串式逆变器

    通过在户用和轻型商用太阳能电池阵列中使用 MPPT 升压式转换器,可以利用电池板之间产生的可变电压,为内部总线带来稳定的更高电压。碳化硅肖特基二极管已被证明是充分提升 MPPT 升压电路性能的具有成本效益的解决方案。

    即使在非常具有挑战性的设计中,也可以通过添加碳化硅 MOSFET 来提高效率。将 650 V 碳化硅 MOSFET 与 650 V 肖特基二极管相结合,可将 7 kW 户用系统模块的效率进一步提高 1.8%,而无需更改设计。

    Wolfspeed 碳化硅带来更可靠、更清洁的电力

    即使在要求最为严苛的功率应用中,Wolfspeed 碳化硅也能保持令人难以置信的可靠性和效率。之所以如此,是因为 Wolfspeed 碳化硅产品可以带来以下好处:

    损耗降低高达 30%
    功率密度提升高达 50%
    系统成本降低多达 10%

    面向太阳能系统的 Wolfspeed 碳化硅组件

    户用和轻型商业太阳能系统利用太阳能为家庭和小型企业提供电力。在这些系统中使用 Wolfspeed 碳化硅可提高能源效率、降低开关损耗并满足新兴的效率标准。

    650 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs
    Wolfspeed 的 650 V MOSFET 采用无引脚 TOLL 封装,提供高性能和高功率密度。
    650 V Discrete Silicon Carbide Schottky Diodes
    Wolfspeed 的 650 V 分立碳化硅肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行优化。
    This reference design is ideal for scaling up power levels by interleaving multiple 25 kW AFE’s. C3M MOSFETs enable high switching frequencies.

    框图

    • 这种适用于 800 V 系统的 T-型拓扑采用串联的 1200 V MOSFET 或 1200 V 半桥功率模块搭配 650 V 或 750 V MOSFET,以降低系统整体损耗。

      Power Solar T Type inverter

      分立式碳化硅 MOSFET

      1200 V 分立式碳化硅 MOSFET

      Wolfspeed 1200 V 分立式碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用混合式 PiN 肖特基 (MPS) 设计,比标准肖特基势垒二极管更稳固、更可靠。

      Composite image of the three 1200V packages used for Wolfspeed's Discrete Silicon Carbide MOSFETs
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      适用于侧开关的 C3M 650 V / 750 V 系列

      650 V 分立式碳化硅 MOSFET

      我们的碳化硅 MOSFET 替代了硅器件,可降低开关损耗和导通损耗,并实现大幅提高的阻断电压和雪崩能力。

      Composite image of the four 650V packages used for Wolfspeed's Discrete Silicon Carbide MOSFETs
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      750 V 分立式碳化硅 MOSFET

      Wolfspeed 碳化硅 (SiC) MOSFET 不仅可以提高开关频率,还可以减小电感器、电容器、滤波器、变压器等组件的尺寸。

      Composite image of the front and back sides of a Wolfspeed discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFET in a TO-247-4 LP package
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      碳化硅功率模块

      Wolfspeed WolfPACK™ 1200 V 半桥系列

      如果设计人员希望以紧凑、符合行业标准的尺寸来提高效率和功率密度,那么 Wolfspeed WolfPACK™ 模块会是一个理想的选择。

      Product shots of the WolfPACK SiC Power Modules in the FM3 & GM3 packages.
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      Wolfspeed WolfPACK™ 1200 V T-型模块

      如果设计人员希望以紧凑、符合行业标准的尺寸来提高效率和功率密度,那么 Wolfspeed WolfPACK™ 模块会是一个理想的选择。

      Product shots of the WolfPACK SiC Power Modules in the FM3 & GM3 packages.
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    • 在功率小于 7 kW的系统中,微型组串逆变器易于分布,实现高运行时间和低维护成本,同时为 1-4 块光伏面板提供功率转换。

      Micro-String-Inverter-Single-Phase

      分立式碳化硅 MOSFET

      650 V / 750 V C3M 系列

      我们的碳化硅 MOSFET 替代了硅器件,可降低开关损耗和导通损耗,并实现大幅提高的阻断电压和雪崩能力。

      Image that includes both the front and back of the TO-247-4 package used for Wolfspeed's discrete Silicon Carbide power devices including SiC MOSFETs and Schottky diodes.
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      分立式碳化硅肖特基二极管

      1200 V 分立式肖特基二极管

      Wolfspeed 1200 V 分立式碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用混合式 PiN 肖特基 (MPS) 设计,比标准肖特基势垒二极管更稳固、更可靠。

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    • 太阳能光伏系统中的三相微型逆变器比单相系统具有更高的能效和更强的输出功率能力。

      Micro-String-Inverter-Single-Phase

      分立式碳化硅 MOSFET

      1200 V C3M 系列

      我们的碳化硅 MOSFET 替代了硅器件,可降低开关损耗和导通损耗,并实现大幅提高的阻断电压和雪崩能力。

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      Silicon Carbide Schottky Diodes

      1200 V 分立式肖特基二极管

      Wolfspeed 1200 V 分立式碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用混合式 PiN 肖特基 (MPS) 设计,比标准肖特基势垒二极管更稳固、更可靠。

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    • 采用混合碳化硅 MOSFET 和 IGBT 的方法,可以带来更高的效率和能量密度显著提升。

      Heric-Converter

      分立式碳化硅 MOSFET

      650 V / 750 V C3M 系列

      我们的碳化硅 MOSFET 替代了硅器件,可降低开关损耗和导通损耗,并实现大幅提高的阻断电压和雪崩能力。

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    • 采用 H6 转换器,搭载碳化硅和 IGBT 混合解决方案,可提高效率、改善热性能和耐用性,同时实现更紧凑、更具成本效益的设计。

      H6-Converter

      分立式碳化硅 MOSFET

      650 V / 750 V C3M 系列

      我们的碳化硅 MOSFET 替代了硅器件,可降低开关损耗和导通损耗,并实现大幅提高的阻断电压和雪崩能力。

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      分立式碳化硅肖特基二极管

      适用于单相的 C6D 650 V 系列

      Wolfspeed 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管技术经过优化,适用于各类高性能电力电子应用,包括服务器电源、电动汽车 (EV) 快速充电系统、储能系统、光伏 (PV) 逆变器、消费电子产品等等。

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    • 这种简化的升压转换器,搭配 650 V 或 750 V MOSFET 用于单相系统,或者搭配 1200 V MOSFET 用于三相系统,并结合互补二极管,提供完整的碳化硅升压转换器解决方案。

      2-level-Boost-Converter

      Silicon Carbide Schottky Diodes

      C6D 650 V Series for Single-Phase

      Wolfspeed’s 650 V Silicon Carbide (SiC) Schottky diode technology is optimized for high-performance power electronics applications including server power supplies, electric vehicle EV fast charging systems, energy storage systems, solar (PV) inverters, consumer electronics, and more.

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      适用于三相的 C4D 1200 V 系列

      Wolfspeed 拥有最为广泛的碳化硅 (SiC) 肖特基二极管产品组合,具有超过 12 万亿小时的现场使用时长、极低的失效率、30 多年的碳化硅行业经验以及最快的交付时间。

      Image that includes both the front and back of the TO-252-2 package used for Wolfspeed's discrete Silicon Carbide power devices including SiC MOSFETs and Schottky diodes.
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      分立式碳化硅 MOSFET

      适用于单相的 C6D 650 V 系列

      我们的碳化硅 MOSFET 替代了硅器件,可降低开关损耗和导通损耗,并实现大幅提高的阻断电压和雪崩能力。

      Angled product photo of the front and back of the TO-247-3 package used for Wolfspeed's Discrete Silicon Carbide MOSFETs.
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      适用于三相的 1200 V 系列

      Wolfspeed 碳化硅 (SiC) MOSFET 不仅可以提高开关频率,还可以减小电感器、电容器、滤波器、变压器等组件的尺寸。

      Angled product photo of the front and back of the TO-247-3 package used for Wolfspeed's Discrete Silicon Carbide MOSFETs.
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    • 这种两电平三相逆变器采用简化的功率拓扑,最大限度地减少了元件数量。

      2-level-three-phase-inverter-renewable-energy

      碳化硅功率模块

      适用于 1000 V 系统的 WolfPACK 1.2 KV 半桥模块

      如果设计人员希望以紧凑、符合行业标准的尺寸来提高效率和功率密度,那么 Wolfspeed WolfPACK™ 模块会是一个理想的选择。

      Product image of the Wolfspeed Wolfpack SiC Power Module in the FM3 package.
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      适用于 1000 V 系统的 WolfPACK 1.2 KV 半桥模块

      如果设计人员希望以紧凑、符合行业标准的尺寸来提高效率和功率密度,那么 Wolfspeed WolfPACK™ 模块会是一个理想的选择。

      Product image of the Wolfspeed Wolfpack SiC Power Module in the FM3 package.
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      分立式碳化硅 MOSFET

      适用于三相的 C3M 1200 V 系列

      Wolfspeed 碳化硅 (SiC) MOSFET 不仅可以提高开关频率,还可以减小电感器、电容器、滤波器、变压器等组件的尺寸。

      Composite image of the front and back sides of a Wolfspeed discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFET in a TO-247-4 LP package
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    • 三相有源中性点钳位拓扑结构可优化 1500 V 母线系统的效率和谐波性能。

      3-phase-inverter-for-1500-V-1000-V-system

      碳化硅功率模块

      适用于 1500 V 系统的 WolfPACK 1.2 KV 半桥模块

      采用碳化硅,实现简化、紧凑、可靠

      Product shots of the WolfPACK SiC Power Modules in the FM3 & GM3 packages.
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      分立式碳化硅 MOSFET

      C3M 1200 V Series for 1500 V System

      我们的碳化硅 MOSFET 替代了硅器件,可降低开关损耗和导通损耗,并实现大幅提高的阻断电压和雪崩能力。

      Composite image of the front and back sides of a Wolfspeed discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFET in a TO-247-4 LP package
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      适用于 1000 V 系统的 C3M 650 V / 750 V 系列

      我们的碳化硅 MOSFET 替代了硅器件,可降低开关损耗和导通损耗,并实现大幅提高的阻断电压和雪崩能力。

      Image that includes both the front and back of the TO-247-4 package used for Wolfspeed's discrete Silicon Carbide power devices including SiC MOSFETs and Schottky diodes.
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    CRD-15DD17P
    15 W Flyback Auxiliary Power Supply
    DC to DC
    Flyback
    0.015kW
    Discrete
    TO-263-7
    C2M1000170J
    Wolfspeed
    Product Shot of Wolfspeed's Reference Design of a Wide Input Voltage Range (300 VDC – 1200 VDC) 15W Flyback Auxiliary Power Supply Board

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