可再生能源

储能系统

采用 Wolfspeed 碳化硅的电池储能系统具有令人难以置信的可靠性和效率，这意味着即便日落之后依然保持稳定电力供应。

储能系统助力实现未来能源安全

可再生能源产业面临的最大挑战之一是供需关系管理，这是因为太阳能和风能系统
产生的电能会随环境条件和日照时间变化而大幅波动。
基于电池的储能系统 (ESS) 可以帮助系统设计师应对这一挑战，
并建立可靠的户用、商业、工业和地面电站能源基础设施。

Wolfspeed 碳化硅 MOSFET、肖特基二极管和功率模块是储能系统的理想标准，
可打造出具有更高效率和更高功率密度的系统，而且这种系统电路拓扑结构更加简单，
能够降低总体成本和尺寸，并满足多种新出现的能效标准。

Illustrated diagram showing how solar panels are used to charge power grids, EV chargers, industrial and residential applications. All labels are in simplified Chinese.

Wolfspeed WolfPACK™ 碳化硅功率模块提供出色的解决方案，助力快速设计执行、提高可扩展性并降低装配开销。

户用和商业储能解决方案

Wolfspeed 碳化硅 MOSFET、肖特基二极管和和包括 Wolfspeed WolfPACK™ 系列在内的功率模块，可为太阳能光伏和风能储能系统的多个功率级带来助益。无论是单相户用系统（5-15 kW）还是三相商用系统（30-100 kW），架构和功率电路拓扑结构均较为相似，并可根据功率水平进行扩展。

在户用和商业层面，储能系统可将其相连的建筑物在高峰时段产生的多余电能储存起来。在户用或轻型商用降压/升压电池接口电路中使用 Wolfspeed 碳化硅，可提高充放电效率，同时降低系统成本和减小系统尺寸。

Wolfspeed 提供业界最为丰富的 1200 V 碳化硅 MOSFET 产品组合。这些 MOSFET 基于第三代技术，并针对高功率应用场景进行了优化。

地面电站储能解决方案

大型工业和地面电站储能系统会使用远距离运营的大规模电池储能系统，此类系统可为大型工厂或整个地面电站电网储存足够的电力。这些大型储能系统也可通过在降压/升压电路中使用 Wolfspeed 碳化硅来获益。目前，通过在三电平配置中使用 Wolfspeed 的 1200 V MOSFET 和肖特基二极管，或者使用 WolfPACK™ 六管集成模块，可同时实现理想的高效率、设计简便性与最高的系统功率密度。新型 1500 V 光伏太阳能系统可为储能系统提供更高的电压。

采用 SpeedFit™ 设计仿真器，进行太阳能系统仿真

采用 SpeedFit™ 设计仿真器进行太阳能 MPPT 升压转换器仿真，了解如何在高温条件下实现太阳能系统的高效率和高功率密度。

如果您需要可信赖的功率半导体，那么 Wolfspeed 就是理想之选

能源系统替代解决方案必须可靠，而 Wolfspeed 产品正是合适之选。Wolfspeed 碳化硅一次又一次以强大性能证明了自己的重要价值，而我们最受欢迎的碳化硅组件的现场使用时间已累计达数十亿小时。

损耗降低高达 30%

功率密度提升高 50%

系统成本降低多达 15%

特色产品

1200 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs

Wolfspeed 的 1200 V 碳化硅 MOSFET 系列针对高功率应用场景进行了优化，提供多种导通电阻和封装选项。

1200 V Discrete Silicon Carbide Schottky Diodes

Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅肖特基二极管采用混合式 PiN 肖特基 (MPS) 设计，更稳固、更可靠。

650 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs

Wolfspeed 的 650 V MOSFET 采用无引脚 TOLL 封装，提供高性能和高功率密度。

碳化硅功率模块

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碳化硅功率模块

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碳化硅功率模块

Product SKU	Package	Configuration	Blocking Voltage	Current Rating	R_DS(ON) at 25°C	Generation	Maximum Junction Temperature	Module Size	Recommended For New Design?	Qualification
CBB032M12FM3	FM3	Full-Bridge	1200 V	37 A	32 mΩ	Gen 3 MOS	150 °C	62.8 mm x 33.8 mm	Yes	Industrial
CBB021M12FM3	FM3	Full-Bridge	1200 V	48 A	21 mΩ	Gen 3 MOS	150 °C	62.8 mm x 33.8 mm	Yes	Industrial
CAB016M12FM3	FM3	Half-Bridge	1200 V	84 A	16 mΩ	Gen 3 MOS	150 °C	62.8 mm x 33.8 mm	Yes	Industrial
CAB011M12FM3	FM3	Half-Bridge	1200 V	117 A	11 mΩ	Gen 3 MOS	150 °C	62.8 mm x 33.8 mm	Yes	Industrial

分立式碳化硅MOSFET

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分立式碳化硅MOSFET

Product SKU	Buy Online	Request Sample	Data Sheet	CAD Model	Blocking Voltage	R_DS(ON) at 25°C	Generation	Current Rating	Gate Charge Total	Output Capacitance	Total Power Dissipation (P_TOT)	Maximum Junction Temperature	Package	Recommended For New Design?	Qualification	View Product
C3M0045065K					650 V	45 mΩ	Gen 3	49 A	63 nC	101 pF	176 W	175 °C	TO-247-4	Yes	Industrial
C3M0021120K					1200 V	21 mΩ	Gen 3	100 A	162 nC	180 pF	469 W	175 °C	TO-247-4	Yes	Industrial