可再生能源
储能系统 采用 Wolfspeed 碳化硅的电池储能系统具有令人难以置信的可靠性和效率，这意味着即便日落之后依然保持稳定电力供应。
储能系统助力实现未来能源安全 可再生能源产业面临的最大挑战之一是供需关系管理，这是因为太阳能和风能系统
Wolfspeed 碳化硅 MOSFET、肖特基二极管和功率模块是储能系统的理想标准，
Wolfspeed WolfPACK™ 碳化硅功率模块提供出色的解决方案，助力快速设计执行、提高可扩展性并降低装配开销。
户用和商业储能解决方案 Wolfspeed 碳化硅 MOSFET、肖特基二极管和和包括 Wolfspeed WolfPACK™ 系列在内的功率模块，可为太阳能光伏和风能储能系统的多个功率级带来助益。无论是单相户用系统（5-15 kW）还是三相商用系统（30-100 kW），架构和功率电路拓扑结构均较为相似，并可根据功率水平进行扩展。
在户用和商业层面，储能系统可将其相连的建筑物在高峰时段产生的多余电能储存起来。在户用或轻型商用降压/升压电池接口电路中使用 Wolfspeed 碳化硅，可提高充放电效率，同时降低系统成本和减小系统尺寸。
Wolfspeed 提供业界最为丰富的 1200 V 碳化硅 MOSFET 产品组合。这些 MOSFET 基于第三代技术，并针对高功率应用场景进行了优化。
地面电站储能解决方案 大型工业和地面电站储能系统会使用远距离运营的大规模电池储能系统，此类系统可为大型工厂或整个地面电站电网储存足够的电力。这些大型储能系统也可通过在降压/升压电路中使用 Wolfspeed 碳化硅来获益。目前，通过在三电平配置中使用 Wolfspeed 的 1200 V MOSFET 和肖特基二极管，或者使用 WolfPACK™ 六管集成模块，可同时实现理想的高效率、设计简便性与最高的系统功率密度。新型 1500 V 光伏太阳能系统可为储能系统提供更高的电压。
采用 SpeedFit™ 设计仿真器，进行太阳能系统仿真
如果您需要可信赖的功率半导体，那么 Wolfspeed 就是理想之选 能源系统替代解决方案必须可靠，而 Wolfspeed 产品正是合适之选。Wolfspeed 碳化硅一次又一次以强大性能证明了自己的重要价值，而我们最受欢迎的碳化硅组件的现场使用时间已累计达数十亿小时。
框图 三电平逆变器（T-NPC 和三相） 这款 T-型拓扑结构适用于 800 V 系统，采用串联 1200 V MOSFET 或者将 1200 V 半桥功率模块与 650 V 或 750 V MOSFET 耦合的方式，可降低系统总损耗。
分立式碳化硅 MOSFET 1200 V 分立式碳化硅 MOSFET Wolfspeed 1200 V 分立式碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用混合式 PiN 肖特基 (MPS) 设计，比标准肖特基势垒二极管更稳固、更可靠。
适用于侧开关的 C3M 650 V / 750 V 系列 650 V 分立式碳化硅 MOSFET 我们的碳化硅 MOSFET 替代了硅器件，可降低开关损耗和导通损耗，并实现大幅提高的阻断电压和雪崩能力。
750 V 分立式碳化硅 MOSFET Wolfspeed 碳化硅 (SiC) MOSFET 不仅可以提高开关频率，还可以减小电感器、电容器、滤波器、变压器等组件的尺寸。
碳化硅功率模块 Wolfspeed WolfPACK™ 1200 V 半桥系列 如果设计人员希望以紧凑、符合行业标准的尺寸来提高效率和功率密度，那么 Wolfspeed WolfPACK™ 模块会是一个理想的选择。
Wolfspeed WolfPACK™ 1200 V T-型模块 如果设计人员希望以紧凑、符合行业标准的尺寸来提高效率和功率密度，那么 Wolfspeed WolfPACK™ 模块会是一个理想的选择。
适用于 1500 V 系统的两电平三相逆变器 创新型 2300 V 模块采用 200 mm 碳化硅技术，助力简化系统架构，同时提供业界领先的开关性能、提升器件与系统的耐用性。
碳化硅功率模块
如果设计人员希望以紧凑、符合行业标准的尺寸来提高效率和功率密度，那么 Wolfspeed WolfPACK™ 模块会是一个理想的选择。
适用于 1500 V 系统的 WolfPACK 2.3 KV 半桥模块 如果设计人员希望以紧凑、符合行业标准的尺寸来提高效率和功率密度，那么 Wolfspeed WolfPACK™ 模块会是一个理想的选择。
3300 V LM 碳化硅半桥功率模块 果设计人员希望以紧凑、符合行业标准的尺寸来提高效率和功率密度，那么 Wolfspeed WolfPACK™ 模块会是一个理想的选择。
分立式碳化硅 MOSFET 适用于 950 V / 1000 V 系统的 C3M 1200 V 系列 我们的碳化硅 MOSFET 替代了硅器件，可降低开关损耗和导通损耗，并实现大幅提高的阻断电压和雪崩能力。
双向 DC-DC 电池充电机（48V） 此方案在单相系统中使用 650 V 或 750 V MOSFET，在三相系统中使用 1200 V MOSFET，以优化电池充电性能。
分立式碳化硅 MOSFET 适用于单相的 C3M 650 V / 750 V 系列 我们的碳化硅 MOSFET 替代了硅器件，可降低开关损耗和导通损耗，并实现大幅提高的阻断电压和雪崩能力。
适用于三相的 1200 V 系列 我们的碳化硅 MOSFET 替代了硅器件，可降低开关损耗和导通损耗，并实现大幅提高的阻断电压和雪崩能力。
两电平升压转换器 这款简化的升压转换器将适用于单相系统的 650 V 或 750 V MOSFET 或适用于三相系统的 1200 V MOSFET 与互补式二极管耦合，实现了一个完整的碳化硅升压转换器解决方案。
Silicon Carbide Schottky Diodes C6D 650 V Series for Single-Phase Wolfspeed’s 650 V Silicon Carbide (SiC) Schottky diode technology is optimized for high-performance power electronics applications including server power supplies, electric vehicle EV fast charging systems, energy storage systems, solar (PV) inverters, consumer electronics, and more.
适用于三相的 C4D 1200 V 系列 Wolfspeed 拥有最为广泛的碳化硅 (SiC) 肖特基二极管产品组合，具有超过 12 万亿小时的现场使用时长、极低的失效率、30 多年的碳化硅行业经验以及最快的交付时间。
分立式碳化硅 MOSFET 适用于单相的 C6D 650 V 系列 我们的碳化硅 MOSFET 替代了硅器件，可降低开关损耗和导通损耗，并实现大幅提高的阻断电压和雪崩能力。
适用于三相的 1200 V 系列 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) MOSFET 不仅可以提高开关频率，还可以减小电感器、电容器、滤波器、变压器等组件的尺寸。
两电平三相逆变器 这种两电平三相逆变器采用简化的功率拓扑，最大限度地减少了元件数量。
碳化硅功率模块 适用于 1000 V 系统的 WolfPACK 1.2 KV 半桥模块 如果设计人员希望以紧凑、符合行业标准的尺寸来提高效率和功率密度，那么 Wolfspeed WolfPACK™ 模块会是一个理想的选择。
适用于 1000 V 系统的 WolfPACK 1.2 KV 半桥模块 如果设计人员希望以紧凑、符合行业标准的尺寸来提高效率和功率密度，那么 Wolfspeed WolfPACK™ 模块会是一个理想的选择。
分立式碳化硅 MOSFET 适用于三相的 C3M 1200 V 系列 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) MOSFET 不仅可以提高开关频率，还可以减小电感器、电容器、滤波器、变压器等组件的尺寸。
Wolfspeed's Gen 5 SiC MOSFETs are engineered for real-world performance — not just ideal conditions. Built on optimized planar MOSFET design, Gen 5 achieves better RDS(ON) through tightened epitaxy, increased active area, and enhanced soft body diode technology. The result: lower losses, higher reliability, and greater design confidence for automotive and industrial applications.
随着人工智能规模的不断扩展，人们越来越关注上游电力资源能否跟上快速扩张的数据中心部署需求。Amperesand 正通过开发高可靠性、中电压、碳化硅基固态变压器，助力构建未来电网的基石。阅读更多内容，了解 Amperesand 与 Wolfspeed 如何携手实现这一目标。
