功率应用
工业和商业太阳能系统 提高可靠性并降低系统总成本， 同时满足新兴的效率标准。
碳化硅助力打造更小型、更高效的大规模太阳能系统 工业和商业设施通常拥有宽阔、平坦的屋顶空间，这是安装大型太阳能系统来生产清洁且不昂贵的太阳能电力的理想场所。借助在太阳能逆变器中采用的 Wolfspeed 碳化硅，这些系统的功率密度能够提高 50%，电路拓扑结构也可得到简化，从而减少元件数量、提高可靠性并降低系统总成本，同时满足多种新出现的能效标准。
Wolfspeed 碳化硅器件可缩小系统尺寸、降低其重量并减少成本
Wolfspeed WolfPACK™ 碳化硅功率模块提供出色的解决方案，助力快速设计执行、提高可扩展性并降低装配开销。
三相太阳能逆变器 大型商业和工业太阳能系统中需要使用 15 kW 到 200 kW 以上的大功率三相太阳能逆变器，以将光伏电池板产生的直流电转换为可并网的交流电。大多数三相串式逆变器都使用分立功率半导体，其架构具有可扩展性和灵活性，可提供 408 V 三相交流输出和 500-1100 V 内部总线电压。WolfPACK™ 模块用于桥接分立器件和功率模块，并且能够以非常小的杂散电感提供高安培容量。
在三相逆变器中使用 Wolfspeed 碳化硅取代传统硅，可将功率密度提高 50%，并通过减少组件数量和降低组装成本来打造更简单的电路拓扑结构，从而缩小逆变器的整体尺寸并降低系统总成本。采用 Wolfspeed 碳化硅技术后，逆变器的整体尺寸和重量都会大幅减小。一台 50 kW 硅逆变器平均重达 380 磅，而一台采用 Wolfspeed 碳化硅 MOSFET 和二极管的 60 kW 逆变器仅重 72 磅，并且体积也很小，一个人就能轻松将其搬运到安装地点。
Wolfspeed 的 60 kW 交错并联升压转换器的参考设计中展示了 Wolfspeed 的 C3M™ 碳化硅 MOSFET 在四相交错并联升压转换器中的应用。
适用于工业和商业太阳能系统的 MPPT 升压电路 商业和工业太阳能系统也可利用 MPPT 升压转换器形式的功率优化器来平滑电池板之间产生的可变电压，并为内部总线带来更高的电压。例如，通过在 60 kW 系统的 MPPT 升压电路中使用 Wolfspeed 碳化硅 MOSFET 和二极管，可将整体效率提高 1.8%，同时提高功率密度并降低整体系统成本。
在工业和商业 MPPT 升压转换器中采用 Wolfspeed 1200 V MOSFET 和 1200 V 肖特基二极管的全碳化硅解决方案可将功率密度提高 1.1%，实现高达 99.49% 的效率。此外，Wolfspeed 的 1200 V MOSFET 和二极管具备业界最高的额定工作温度，是包括屋顶太阳能电池阵列在内的各种高温环境应用的理想之选。
使用SpeedFit 设计模拟器。模拟太阳能系统， 使用SpeedFit 设计模拟器模拟太阳能MPPT升压转换器，了解如何在高温条件下实现太阳能系统的高效率和高功率密度。
Wolfspeed 碳化硅带来更可靠、更清洁的电力 即使在要求最为严苛的功率应用中，Wolfspeed 碳化硅也能保持令人难以置信的可靠性和效率。之所以如此，是因为 Wolfspeed 碳化硅产品可以带来以下好处：
工业和商业太阳能系统利用太阳能为大型商业和工业设施提供电力。在这些系统中使用 Wolfspeed 碳化硅可提高能源效率、降低开关损耗并满足新兴的效率标准。
框图 三电平逆变器（T-NPC 和三相） 这种适用于 800 V 系统的 T-型拓扑采用串联的 1200 V MOSFET 或 1200 V 半桥功率模块搭配 650 V 或 750 V MOSFET，以降低系统整体损耗。
分立式碳化硅 MOSFET 1200 V 分立式碳化硅 MOSFET Wolfspeed 1200 V 分立式碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用混合式 PiN 肖特基 (MPS) 设计，比标准肖特基势垒二极管更稳固、更可靠。
适用于侧开关的 C3M 650 V / 750 V 系列 650 V 分立式碳化硅 MOSFET 我们的碳化硅 MOSFET 替代了硅器件，可降低开关损耗和导通损耗，并实现大幅提高的阻断电压和雪崩能力。
750 V 分立式碳化硅 MOSFET Wolfspeed 碳化硅 (SiC) MOSFET 不仅可以提高开关频率，还可以减小电感器、电容器、滤波器、变压器等组件的尺寸。
碳化硅功率模块 Wolfspeed WolfPACK™ 1200 V 半桥系列 如果设计人员希望以紧凑、符合行业标准的尺寸来提高效率和功率密度，那么 Wolfspeed WolfPACK™ 模块会是一个理想的选择。
Wolfspeed WolfPACK™ 1200 V T-型模块 如果设计人员希望以紧凑、符合行业标准的尺寸来提高效率和功率密度，那么 Wolfspeed WolfPACK™ 模块会是一个理想的选择。
适用于 1500 V 系统的两电平三相逆变器 创新型 2300 V 模块采用 200 mm 碳化硅技术，助力简化系统架构，同时提供业界领先的开关性能、提升器件与系统的耐用性。
碳化硅功率模块
如果设计人员希望以紧凑、符合行业标准的尺寸来提高效率和功率密度，那么 Wolfspeed WolfPACK™ 模块会是一个理想的选择。
适用于 1500 V 系统的 WolfPACK 2.3 KV 半桥模块 如果设计人员希望以紧凑、符合行业标准的尺寸来提高效率和功率密度，那么 Wolfspeed WolfPACK™ 模块会是一个理想的选择。
3300 V LM 碳化硅半桥功率模块 果设计人员希望以紧凑、符合行业标准的尺寸来提高效率和功率密度，那么 Wolfspeed WolfPACK™ 模块会是一个理想的选择。
分立式碳化硅 MOSFET 适用于 950 V / 1000 V 系统的 C3M 1200 V 系列 我们的碳化硅 MOSFET 替代了硅器件，可降低开关损耗和导通损耗，并实现大幅提高的阻断电压和雪崩能力。
两电平升压转换器 这种简化的升压转换器，搭配 650 V 或 750 V MOSFET 用于单相系统，或者搭配 1200 V MOSFET 用于三相系统，并结合互补二极管，提供完整的碳化硅升压转换器解决方案。
Silicon Carbide Schottky Diodes C6D 650 V Series for Single-Phase Wolfspeed’s 650 V Silicon Carbide (SiC) Schottky diode technology is optimized for high-performance power electronics applications including server power supplies, electric vehicle EV fast charging systems, energy storage systems, solar (PV) inverters, consumer electronics, and more.
适用于三相的 C4D 1200 V 系列 Wolfspeed 拥有最为广泛的碳化硅 (SiC) 肖特基二极管产品组合，具有超过 12 万亿小时的现场使用时长、极低的失效率、30 多年的碳化硅行业经验以及最快的交付时间。
分立式碳化硅 MOSFET 适用于单相的 C6D 650 V 系列 我们的碳化硅 MOSFET 替代了硅器件，可降低开关损耗和导通损耗，并实现大幅提高的阻断电压和雪崩能力。
适用于三相的 1200 V 系列 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) MOSFET 不仅可以提高开关频率，还可以减小电感器、电容器、滤波器、变压器等组件的尺寸。
对称升压转换器 在此设计中，采用碳化硅技术的对称升压转换器可实现更高的电压增益、更高的效率和整体系统性能的提升。
分立式碳化硅 MOSFET 适用于三相的 1200 V 系列 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) MOSFET 不仅可以提高开关频率，还可以减小电感器、电容器、滤波器、变压器等组件的尺寸。
分立式碳化硅肖特基二极管 适用于三相的 C4D 1200 V 系列 Wolfspeed 拥有最为广泛的碳化硅 (SiC) 肖特基二极管产品组合，具有超过 12 万亿小时的现场使用时长、极低的失效率、30 多年的碳化硅行业经验以及最快的交付时间。
两电平三相逆变器 这种两电平三相逆变器采用简化的功率拓扑，最大限度地减少了元件数量。
碳化硅功率模块 适用于 1000 V 系统的 WolfPACK 1.2 KV 半桥模块 如果设计人员希望以紧凑、符合行业标准的尺寸来提高效率和功率密度，那么 Wolfspeed WolfPACK™ 模块会是一个理想的选择。
适用于 1000 V 系统的 WolfPACK 1.2 KV 半桥模块 如果设计人员希望以紧凑、符合行业标准的尺寸来提高效率和功率密度，那么 Wolfspeed WolfPACK™ 模块会是一个理想的选择。
分立式碳化硅 MOSFET 适用于三相的 C3M 1200 V 系列 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) MOSFET 不仅可以提高开关频率，还可以减小电感器、电容器、滤波器、变压器等组件的尺寸。
适用于 1500 V 系统或 1000 V 系统的三相逆变器 三相有源中性点钳位拓扑结构可优化 1500 V 母线系统的效率和谐波性能。
碳化硅功率模块 适用于 1500 V 系统的 WolfPACK 1.2 KV 半桥模块
分立式碳化硅 MOSFET C3M 1200 V Series for 1500 V System 我们的碳化硅 MOSFET 替代了硅器件，可降低开关损耗和导通损耗，并实现大幅提高的阻断电压和雪崩能力。
适用于 1000 V 系统的 C3M 650 V / 750 V 系列 我们的碳化硅 MOSFET 替代了硅器件，可降低开关损耗和导通损耗，并实现大幅提高的阻断电压和雪崩能力。
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Wolfspeed's Gen 5 SiC MOSFETs are engineered for real-world performance — not just ideal conditions. Built on optimized planar MOSFET design, Gen 5 achieves better RDS(ON) through tightened epitaxy, increased active area, and enhanced soft body diode technology. The result: lower losses, higher reliability, and greater design confidence for automotive and industrial applications.
随着人工智能规模的不断扩展，人们越来越关注上游电力资源能否跟上快速扩张的数据中心部署需求。Amperesand 正通过开发高可靠性、中电压、碳化硅基固态变压器，助力构建未来电网的基石。阅读更多内容，了解 Amperesand 与 Wolfspeed 如何携手实现这一目标。
