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MOSFET

新型 SBD 和 MOSFET 封裝大幅縮減尺寸,提升功率密度

Mar 21, 2022
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幾乎在任何應用中,尺寸如同效率一樣重要。例如在企業資料中心,很大一部分前期成本來自機房租用,而且電費佔據大部分運營成本。在各種工業電源和電機驅動應用中,需要在尺寸、重量、效率和成本之間仔細權衡才能取得成功。 事實上,提高功率密度的壓力越來越大。使用 10 kW/機架的傳統資料中心已不足以滿足高性能計算、人工智慧和機器學習等終端應用的要求i。

Infographic showing how the QFN takes up less space than the TOL-263-2
圖 1:與 TO-263-2(左)相比,QFN 8 × 8(右)的面積減少 60%,高度減少 80%。

工業應用也呈現類似趨勢,對更小尺寸、更輕重量和更低冷卻要求的需求日益增加,這就要求更高的效率和功率密度。

與矽相比,寬能隙半導體技術,如 Wolfspeed 的碳化矽(SiC)MOSFET 和肖特基勢壘二極體(SBD)可為電源設計人員帶來諸多優勢。更低的傳導和開關損耗提高了效率,高頻工作有助於減小電感、電容和變壓器等無源元件的尺寸。其高耐結溫能力支持採用更小的熱管理解決方案。Wolfspeed 產品支援 650 V 或更高的阻斷電壓,有助於減少高壓應用中所需的開關元件數量。最終結果是以更低的系統級成本提升系統級效率和功率密度。

封裝的重要性

然而,這些優勢也為封裝技術帶來了壓力,封裝技術需要支援而不是阻礙元件性能。常見的封裝技術挑戰包括:

  • 控制寄生效應
  • 在不犧牲散熱性能的情況下減小封裝尺寸

為了滿足市場對高功率密度的需求,Wolfspeed 開發了更小尺寸的全新表貼封裝的分立 SiC 肖特基二極體和 MOSFET。Wolfspeed 現可提供 QFN 8 × 8 封裝的第六代650V 耐壓的SIC肖特基二極體,採用無引線(TOLL)封裝的第三代 SiC  MOSFET也可提供樣品,比其他 TO-247-3、TO-247-4 和 TO-263-7 封裝尺寸要小得多。

傳統的通孔封裝(如TO-247)會使一些大批次系統生產商面臨自動化裝配的挑戰。如果電路板上的所有元件都採用表面貼裝(SMD),則只需一個自動化步驟即可完成組裝。這可顯著降低生產成本。

8 × 8 QFN 中的肖特基二極體

與封裝 ID 為“G”的標準 TO-263 2L 相比,封裝 ID 為“Q”的QFN封裝二極體(C6D06065Q、C6D08065Q 和 C6D10065Q)的尺寸縮小了 60%(圖 1)。與 TO-263 2L 或 D2PAK 相比,新款 QFN 8x8 元件的高度降低了 80%。總的來說,體積的減少使 QFN 非常有利於低高度限制的應用。

Wolfspeed SiC SBD 技術還能實現 1.27 V(25 ˚C 時)和 1.37 V(175 ˚C 時)的低正向壓降(VF),從而降低正嚮導通損耗。這使得設計人員可以在 Boost PFC 變換器等應用中實現最高的系統級效率。

QFN 封裝具有較低的引線電感,這對於降低系統的開關損耗和實現高頻開關而言至關重要。通過提高開關頻率,這些元件能夠實現更高的功率密度。QFN 封裝還集成有底部冷卻式高效散熱管理(圖 2)。

Product image and electrical diagram showing QFN's cooling ensures thermal management.
圖 2:儘管更小的體積使 PFC 升壓拓撲(右)具有高功率密度,但新型 QFN 的底部冷卻可確保實現高效散熱管理。

QFN封裝所有元件都滿足適合於400 V電壓系統的爬電距離要求。這些元件可提供 6 A、8 A 和 10 A 的連續正向電流(IF)額定值,結殼熱阻(Rθ, JC)低至 1.4 ˚C/W。

TOLL 封裝碳化矽 MOSFET

表貼 TOLL 是一種創新型封裝,業內通常用於高電流、高功率密度應用。Wolfspeed 工業級650 V TOLL封裝SiC MOSFET尺寸明顯低於其他封裝(圖 3)。標準 TO-263-7L 的尺寸為 151.5 mm2,高度為 4.30 mm,與之相比,TOLL 元件的尺寸為 113 mm2,高度為 2.2 mm。這意味著尺寸減少了近 25%,高度更是減少了 50%。

Infographic showing the dimensions of Wolfspeed's C3M MOSFET products.
圖 3:Wolfspeed® 碳化矽 C3M™ MOSFET 提供多種封裝選項。右圖為體積顯著縮小的 TOLL 封裝(即將推出)。

Wolfspeed 的 TOLL 封裝更低電感特性讓設計人員可以使用更低的外部柵極驅動電阻,這不僅可以降低開關損耗,還有助於避免關斷期間的峰值電壓過沖。因此,這些元件非常適合高開關頻率應用,有助於減小磁性元件的尺寸從而提高功率密度。

為了滿足該尺寸封裝的熱管理要求,新的 TOLL 元件採用更大的背面金屬焊盤,有助於降低元件結溫 (Tjmax)。在熱模擬中,如圖 4 所示,5000 W/m2K 對流冷卻條件下測試了28 W功耗的散熱表現。與 TO-263-7L 的 175 ˚C 相比,TOLL 元件可以將 Tjmax 保持在 152 ˚C 的較低溫度,因此,採用TOLL封裝的設計只需更少的散熱管理,從而為應用帶來成本、空間和重量方面的優勢。

TOLL 元件的最小爬電距離為 3.5 mm(D-S),非常適合約 400VDC 工作電壓。MOSFET PC3M0045065L、PC3M0060065L 和 PC3M0120065L 提供 45 mΩ、60 mΩ 和 120 mΩ 三種 RDS(ON) 選項,額定漏極電流(ID)分別為 50 A、36 A 和 21 A。

Illustrated table showing the temperature difference between a TOLL package and a TO-263-7L package
Illustrated results from thermal simulations showing TOLL MOSFETs heat dissipation capabilities.
圖 4:散熱模擬證實了 TOLL 封裝 MOSFET 具備卓越的散熱能力。

該特性使得這些開關適合各種應用,包括伺服器/電信電源、消費/計算/工業 SMPS、太陽能逆變器、電動機、輕型電動汽車、電池充電器和家用電器。

採用散熱性能更好、體積更小的元件

Wolfspeed 的新型 SMD 功率元件不僅節省了寶貴的應用空間,而且散熱效率更高,有助於降低生產成本和散熱解決方案成本、提高功率密度。
瀏覽 Wolfspeed 的 650 V 碳化矽肖特基二極體和碳化矽 MOSFET 產品頁面,尋找最符合您設計目標的元件。

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阻斷電壓
RDS(ON) 在 25°C
世代
額定電流
柵極總電荷
輸出電容
總功耗 (P[[TOT]])
最大結溫
封裝
認證
C3M0120065L
650 V
120 mΩ
Gen 3
21 A
26 nC
45 pF
86 W
175 °C
TOLL
Industrial
C3M0060065L
650 V
60 mΩ
Gen 3
39 A
46 nC
72 pF
131 W
175 °C
TOLL
Industrial
C3M0045065L
650 V
45 mΩ
Gen 3
49 A
59 nC
101 pF
164 W
175 °C
TOLL
Industrial

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分離式碳化矽肖特基二極管

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分離式碳化矽肖特基二極管

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額定電流
世代
順向導通電壓(VF(典型值))
最大持續電流 (I[[F]])
總電容電荷 (Q[[C (typ)]])
總功耗 (P[[TOT]])
封裝
認證
C6D06065Q
650 V
6 A
Gen 6
1.27 V
6 A
23 nC
69 W
QFN 8x8
Industrial
C6D08065Q
650 V
8 A
Gen 6
1.27 V
8 A
29 nC
92 W
QFN 8x8
Industrial
C6D10065Q
650 V
10 A
Gen 6
1.27 V
10 A
34 nC
119 W
QFN 8x8
Industrial

章節結束


i Data Centre Dynamics Ltd, Increasing density: the new data center reality. Source: https://www.datacenterdynamics.com/en/opinions/increasing-density-the-new-data-center-reality/

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