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再生能源

儲能系統

Wolfspeed 碳化矽在基於電池的儲能系統中具有令人驚艷的可靠性和效率,這也代表電力即使在日落時仍可照常使用。

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儲能系統實現了安全的能源未來

再生能源行業面臨的最大挑戰之一是如何管理供需關係,因為太陽能和風能系統產生的電力可能會根據環境條件與一天中的時間而大幅波動。 電池儲能系統 (ESS) 是系統設計者應對這項挑戰的一種方法,並在住宅、商業、工業與公用事業中建立可靠的能源基礎設施。

Wolfspeed 碳化矽 MOSFET、肖特基二極體與功率模組為儲能系統的黃金標準,可以創造更高效、功率密度更高的系統、建立可以降低總體成本與尺寸的簡化電路拓撲,並滿足新興的效率標準。

Illustrated diagram showing how solar panels are used to charge power grids, EV chargers, industrial and residential applications.

Close up product image of the Wolfspeed WolfPACK™ power modules
Wolfspeed WolfPACK™ 碳化矽功率模組提供了快速設計執行、可擴充性與低組裝開支的絕佳解決方案。

住宅與商業儲能解決方案

太陽能光電與風能儲能系統的多重功率級,可以受惠於 Wolfspeed 碳化矽 MOSFET、肖特基二極體與功率模組,包括 Wolfspeed WolfPACK™ 的裝置系列。 無論是單相住宅系統 (5-15 kW) 或者是三相商業系統 (30-100 kW),其架構與與功率電路拓撲都大同小異,且可以根據功率等級加以擴充。

在住宅與商業等級上,儲能系統可以為其所連接的建築物節省高峰時段產生的多餘電力。在住宅或輕商業升/降壓電池電路中使用 Wolfspeed 碳化矽,可以改善充電與放電效率,同時降低系統成本與尺寸。


Three 1200V SiC MOSFETs arranged in a horizontal row.
Wolfspeed的 1200 V SiC MOSFET 產品系列為業界首屈一指。這些 MOSFET 針對高功率應用進行了優化,且為第三代技術。

公用事業規模的儲能解決方案

較大型的工業與公用事業規模的儲能系統在電錶之前利用大型電池存儲系統,存儲足夠的電力供大型工廠或整個公用電網使用。這些大型 ESS 也得益於於升/降壓電路中的 Wolfspeed 碳化矽。目前在三階式的拓樸或 WolfPACK™ 的六顆模組中使用 Wolfspeed 的 1200 V MOSFET 與肖特基二極體可以帶來高功效與設計簡便的完美組合,同時獲得最高系統功率密度。全新 1500 V 太陽能光電系統則為儲能系統提供更高電壓。

當您需要可靠功率時,就選擇 Wolfspeed

替代能源系統只有在穩定可靠時才算得上是替代方案,這就是讓 Wolfspeed 成為最佳選擇的原因。Wolfspeed SiC 堅實的品質經得起時間的考驗,我們最受歡迎的 SiC 元件皆已經過數十億小時的現場測試。

耗損最高減少30%
功率密度提高最多 50%
系統成本節省最多 15%

特色產品

1200 V Discrete Silicon Carbide Schottky Diodes
Wolfspeed 的 1200 V 分離式碳化矽肖特基二極體採用 MPS (合併式 PiN 肖特基) 設計,因此更堅固和可靠。
650 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs
Wolfspeed 的 650 V 分離式碳化矽 MOSFET 採用 TO-Leadless (TOLL) 封裝,可實現高效率和高功率密度。
Product Shot of Wolfspeed's Reference Design of a 60 kW Interleaved Boost Converter
60 kW Interleaved Boost Converter
Wolfspeed 的 60 kW 交錯式升壓轉換器的參考設計展示了 Wolfspeed 在 4 相交錯式升壓轉換器中的 C3M™ 碳化矽 MOSFET。
1200 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs
Wolfspeed 的 1200 V 碳化矽 MOSFET 系列針對高功率應用進行優化,並具有多種導通電阻和封裝選項。
1200 V Discrete Silicon Carbide Schottky Diodes
Wolfspeed 的 1200 V 分離式碳化矽肖特基二極體採用 MPS (合併式 PiN 肖特基) 設計,因此更堅固和可靠。
650 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs
Wolfspeed 的 650 V 分離式碳化矽 MOSFET 採用 TO-Leadless (TOLL) 封裝,可實現高效率和高功率密度。
Product Shot of Wolfspeed's Reference Design of a 60 kW Interleaved Boost Converter
60 kW Interleaved Boost Converter
Wolfspeed 的 60 kW 交錯式升壓轉換器的參考設計展示了 Wolfspeed 在 4 相交錯式升壓轉換器中的 C3M™ 碳化矽 MOSFET。
1200 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs
Wolfspeed 的 1200 V 碳化矽 MOSFET 系列針對高功率應用進行優化,並具有多種導通電阻和封裝選項。
1200 V Discrete Silicon Carbide Schottky Diodes
Wolfspeed 的 1200 V 分離式碳化矽肖特基二極體採用 MPS (合併式 PiN 肖特基) 設計,因此更堅固和可靠。
650 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs
Wolfspeed 的 650 V 分離式碳化矽 MOSFET 採用 TO-Leadless (TOLL) 封裝,可實現高效率和高功率密度。
Product Shot of Wolfspeed's Reference Design of a 60 kW Interleaved Boost Converter
60 kW Interleaved Boost Converter
Wolfspeed 的 60 kW 交錯式升壓轉換器的參考設計展示了 Wolfspeed 在 4 相交錯式升壓轉換器中的 C3M™ 碳化矽 MOSFET。

功率模塊

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功率模塊

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功率模塊

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CBB032M12FM3
FM
Full-Bridge
1200 V
37 A
32 mΩ
Gen 3 MOS
150 °C
62.8 x 33.8 mm
Industrial
CBB021M12FM3
FM
Full-Bridge
1200 V
48 A
21 mΩ
Gen 3 MOS
150 °C
62.8 x 33.8 mm
Industrial
CAB016M12FM3
FM
Half-Bridge
1200 V
84 A
16 mΩ
Gen 3 MOS
150 °C
62.8 x 33.8 mm
Industrial
CAB011M12FM3
FM
Half-Bridge
1200 V
117 A
11 mΩ
Gen 3 MOS
150 °C
62.8 x 33.8 mm
Industrial

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分離式碳化矽MOSFET

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分離式碳化矽MOSFET

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分離式碳化矽MOSFET

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世代
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總功耗 (P[[TOT]])
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C3M0045065K
650 V
45 mΩ
Gen 3
49 A
63 nC
101 pF
176 W
175 °C
TO-247-4
Industrial
C3M0021120K
1200 V
21 mΩ
Gen 3
100 A
162 nC
180 pF
469 W
175 °C
TO-247-4
Industrial

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分離式碳化矽肖特基二極管

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分離式碳化矽肖特基二極管

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分離式碳化矽肖特基二極管

產品SKU
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數據表
CAD模型
阻斷電壓
額定電流
世代
順向導通電壓(VF(典型值))
最大持續電流 (I[[F]])
總電容電荷 (Q[[C (typ)]])
總功耗 (P[[TOT]])
封裝
認證
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C4D30120H
1200 V
30 A
Gen 4
1.5 V
30 A
152 nC
441 W
TO-247-2
Industrial

章節結束


Image showing solar panels and wind turbines.

Wolfspeed:碳化矽領域值得信賴的品牌

Wolfspeed 為全球首家垂直整合碳化矽材料和設備的供應商;這項傳統讓我們成為了全球再生能源系統設計工程師值得信賴的合作夥伴。我們的工程師利用超過 10 兆小時的豐富經驗來協助您開發再生能源解決方案,滿足新興的效率標準,並成為您在市場取得成功的幕後推手。

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