MOSFETs
SiC在EV快速充电机市场满足 V2G 要求
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摘要
近年来汽车产业逐渐回暖,消费者对绿色科技的兴趣蓬勃,加上越来越多法规的支持,也使得对于电动汽车 (EV) 市场的预期不断攀升。
习惯驾驶内燃机引擎车辆跑上 400 英里的客户,免不了对 EV 存在“里程焦虑”。但 EV 越来越接近于解决这项难题。最新的 EV 可达到 200 英里左右的续航里程,预计 300 英里很快也将普及。处于领先地位的特斯拉 S model 刚已超过了 400 英里的续航里程,而引领豪华 EV 潮流的新品牌 Lucid Motors 则推出了超过 500 英里续航里程的车型。
本文将探讨碳化硅 (SiC) 技术如何在快速成长的快速充电机市场,持续满足功率以及车网互联 (V2G) 的需求。
迈向 15 分钟充电解决方案
电动汽车市场可持续的成长,需要更短充电时间的充电器基础设施,要在 12 到 15 分钟内就能充满 80% 的容量。增加电压可以安全地实现此类快速充电机所需的更高功率输出。高电压带来较低的电流,从而减少了线缆中的功率损耗以及电池过热问题,能更好地保持功率。它还能减轻重量,因为减小的线缆尺寸仅需更少的铜,从而减少了所需的空间和重量。较小的线缆尺寸也有助于降低由昂贵的铜线缆和连接器带来的成本。
特斯拉汽车的 400 V “超级充电站” (Supercharger) 网络掀起了这一潮流,但这还不足以实现 15 分钟充电的目标。因此,导入电压高达 800 V 的架构发展便成为重要的趋势 (图1)。

保时捷的 Taycon、现代汽车的 Kia EV6、通用汽车的 Hummer EV 等几种新车型均已开始采用 800 V 直流快速充电技术,Lucid Motors 更是采用了更高电压等级的 900 V 架构。