Wolfspeed WolfPACK™ 功率模块推出
Article
填补功率系统设计选择上的缺口,为您提供更好的灵活性和更高的性能。
多年来, 公司旗下的 Wolfspeed 一直是碳化硅(SiC) 功率产品的引领者。事实上,Wolfspeed 是首家在市场上发布商业化 SiC MOSFET 的公司,致力于SiC器件的设计,赋能当今最具创新性的技术解决方案。
Wolfspeed 很高兴地宣布,公司最新的 Wolfspeed WolfPACK 功率模块系列现已推出。该系列经过专门设计,用于填补单裸芯分立式器件和高电流模块解决方案之间的缺口,为当今的设计工程师提供一个真正的端到端解决方案,以满足采用 Wolfspeed SiC 的所有系统设计需求。
概述
Wolfspeed WolfPACK 模块专注于提供更多的选择和更高的灵活性。过去,设计工程师在中功率应用中的选择有限。这通常会导致,要么选择一个对设计来说不必要的较高电流模块,要么开发出一个采用多个分立式器件(串联和并联排列)的系统,而这会带来设计复杂性增加。
Wolfspeed WolfPACK 改变了这一切,具体表现为:首先,新型 Wolfspeed WolfPACK 模块的核心和灵魂是 Wolfspeed SiC 器件,这意味着它所基于的技术和使得 Wolfspeed 成为世界上最值得信赖 SiC 技术制造商的技术是相同的。采用 Wolfspeed WolfPACK,您可以获得与 Wolfspeed SiC 器件相同的可靠性和质量。
Wolfspeed WolfPACK 模块使得系统设计更加灵活,并通过采用压接引脚简化了原型设计和制造。压接引脚比传统的手工焊接和自动焊接更加可靠。
对于在中功率范围内工作的工程师来说,至关重要的是最大限度地提高功率密度同时将设计的复杂性降至最低,而这正是 Wolfspeed WolfPACK 模块的两大亮点。由于 Wolfspeed WolfPACK 模块设计的简单性,工程师们既可充分利用 Wolfspeed SiC 高效、强大的性能(经证明可提供更高的电流和可靠性),同时又能通过简明直接的设计和组装过程使得系统布局保持简单。围绕 Wolfspeed WolfPACK 构建的系统有助于实现可扩展性,从而帮助您加速生产过程并降低系统组装成本。这些新型 Wolfspeed WolfPACK 模块搭载所有 SiC MOSFET 半桥和所有 SiC MOSFET 六合一配置,并具有各种毫欧姆选项。
特性
- 多功能的行业标准壳体,具有多种配置和拓扑结构
- 压接引脚和柔性金属弹簧安装座,系统实施简单,可缩短面市时间
- 与带有基板和螺丝端子的传统模块相比,重量更轻、尺寸更小
- 与自动焊接相比,组装成本更低
优势
随着 Wolfspeed WolfPACK 模块的推出,我们的功率产品组合现已覆盖整个应用范围,可为设计人员提供适合各种应用(从单千瓦设计到兆瓦系统)的选择。以 Wolfspeed 公司业界领先的 SiC 技术为基础构建的 Wolfspeed WolfPACK 模块,可凭借其灵活性和可扩展性,提供卓越的性能和业经验证的 SiC 可靠性。
Wolfspeed WolfPACK 模块十分简单,旨在为能量转换系统提供清洁、可靠的电力。凭借多年的行业经验,Wolfspeed 开展了大量工作,以确保这些模块在封装中实现令人难以置信的低损耗,使其非常适合自动化和大规模生产。Wolfspeed WolfPACK 功率模块尺寸紧凑,可用于设计流线型、更高功率密度的系统。Wolfspeed WolfPACK 可以帮助系统设计人员实现更加紧凑的解决方案,这是采用多个分立式器件或更大的高电流模块所无法企及的。
应用
Wolfspeed WolfPACK 模块的优点在于其灵活性,这正是 Wolfspeed WolfPACK 非常适合各种应用的原因。这些应用包括:
- 电动汽车快速充电
- 标准电源和不间断电源
- 工业电源解决方案
- 感应加热和焊接
- 太阳能和可再生能源
- 电网基础设施应用
- 工业电机驱动
Wolfspeed WolfPACK™ 功率模块推出
Products
Products
Product SKU | Buy Online | Request Sample | Data Sheet | Package | Configuration | Blocking Voltage | Current Rating | RDS(ON) at 25°C | Generation | Tjmax | Module Size |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CAB5R0A23GM4 Coming Soon | GM | Half Bridge (AlN substrate) | 2300 V | 200 A | 5 mΩ | Gen 4 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 56.7 mm | |||
CAB5R0A23GM4T Coming Soon | GM | Half Bridge (AlN substrate) | 2300 V | 200 A | 5 mΩ | Gen 4 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 56.7 mm | |||
GM | Half-Bridge | 1200 V | 200 A | 6 mΩ | Gen 3 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 56.7 mm | ||||
GM | Half Bridge (AlN substrate) | 1200 V | 200 A | 6 mΩ | Gen 3 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 56.7 mm | ||||
GM | Half-Bridge | 1200 V | 200 A | 6 mΩ | Gen 3 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 56.7 mm | ||||
GM | Half Bridge (AlN substrate) | 1200 V | 200 A | 6 mΩ | Gen 3 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 56.7 mm | ||||
CAB6R0A23GM4 Coming Soon | GM | Half Bridge (AlN substrate) | 2300 V | 200 A | 6 mΩ | Gen 4 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 56.7 mm | |||
CAB6R0A23GM4T Coming Soon | GM | Half Bridge (AlN substrate) | 2300 V | 200 A | 6 mΩ | Gen 4 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 56.7 mm | |||
CAB7R5A23GM4 Coming Soon | GM | Half Bridge (AlN substrate) | 2300 V | 170 A | 7.5 mΩ | Gen 4 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 56.7 mm | |||
CAB7R5A23GM4T Coming Soon | GM | Half Bridge (AlN substrate) | 2300 V | 170 A | 7.5 mΩ | Gen 4 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 56.7 mm | |||
GM | Half Bridge (AlN substrate) | 1200 V | 181 A | 8 mΩ | Gen 3 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 56.7 mm | ||||
GM | Half-Bridge | 1200 V | 160 A | 8 mΩ | Gen 3 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 56.7 mm | ||||
GM | Half-Bridge | 1200 V | 160 A | 8 mΩ | Gen 3 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 56.7 mm | ||||
GM | Half Bridge (AlN substrate) | 1200 V | 181 A | 8 mΩ | Gen 3 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 56.7 mm | ||||
FM | Half-Bridge | 1200 V | 117 A | 11 mΩ | Gen 3 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 33.8 mm | ||||
FM | Half-Bridge | 1200 V | 117 A | 11 mΩ | Gen 3 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 33.8 mm | ||||
GM | Half-Bridge | 1200 V | 141 A | 11 mΩ | Gen 3 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 56.7 mm | ||||
GM | Half-Bridge | 1200 V | 141 A | 11 mΩ | Gen 3 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 56.7 mm | ||||
FM | Half-Bridge | 1200 V | 84 A | 16 mΩ | Gen 3 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 33.8 mm | ||||
FM | Half-Bridge | 1200 V | 84 A | 16 mΩ | Gen 3 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 33.8 mm | ||||
GM | Six-pack (three-phase) | 1200 V | 50 A | 16 mΩ | Gen 3 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 56.7 mm | ||||
GM | Six-pack (three-phase) | 1200 V | 50 A | 16 mΩ | Gen 3 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 56.7 mm | ||||
FM | Six-pack (three-phase) | 1200 V | 30 A | 21 mΩ | Gen 3 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 33.8 mm | ||||
FM | Full-Bridge | 1200 V | 48 A | 21 mΩ | Gen 3 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 33.8 mm | ||||
FM | Six-pack (three-phase) | 1200 V | 30 A | 21 mΩ | Gen 3 | 150 °C | 62.8 mm x 33.8 mm | ||||
FM | Full-Bridge | 1200 V | 48 A | 21 mΩ | Gen 3 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 33.8 mm | ||||
FM | Six-pack (three-phase) | 1200 V | 30 A | 32 mΩ | Gen 3 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 33.8 mm | ||||
FM | Full-Bridge | 1200 V | 37 A | 32 mΩ | Gen 3 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 33.8 mm | ||||
FM | Six-pack (three-phase) | 1200 V | 30 A | 32 mΩ | Gen 3 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 33.8 mm | ||||
FM | Full-Bridge | 1200 V | 37 A | 32 mΩ | Gen 3 MOS | 150 °C | 62.8 mm x 33.8 mm |
设计工具
Products
Products
Name | Buy Online | Form | Package | Designed By | Product SKU | View Product |
---|---|---|---|---|---|---|
Evaluation Tool | FM | Wolfspeed | KIT-CRD-CIL12N-FMC | |||
Evaluation Tool | FM | Wolfspeed | KIT-CRD-CIL12N-FMA | |||
Evaluation Tool | GM | Wolfspeed | KIT-CRD-CIL12N-GMA | |||
Gate Driver Board | FM, GM, SpeedVal Kit | Wolfspeed | CGD1700HB2M-UNA | |||
Gate Driver Board | FM, GM, SpeedVal Kit | Analog Devices | EVAL-ADUM4146WHB1Z | |||
Gate Driver Board | FM, GM, SpeedVal Kit | Skyworks | Si823H-ACWA-KIT |