ショットキーダイオードには、高周波数での低ターンオン電圧、高速な復帰時間、および低エネルギー損失という特性があります。こうした特性により、ショットキーダイオードは導通から遮断への迅速な移行を促進することで電流を整流することができます。このため、しばしば、ショットキーダイオードは多くの分野の半導体デバイスに最適な選択肢です。ショットキーダイオードの一般的な用途の上位5つは以下の通りです。
ショットキーダイオードのスイッチングは高速であり、高周波数に対応しているため、無線周波数分野に適しています。また、ショットキーダイオードには各種金属半導体接合構成があり、そうした半導体デバイスは電源検出器や混合器回路に有用です。
ショットキーダイオードは電源整流器分野に最適な半導体デバイスです。通常のPN接合デバイスと異なり、電流密度が大きく、順方向電圧降下がわずかという特徴があります（例えば、650V SiCショットキーダイオードのC6D10065Aで、25°C時1.27V、175°C時1.37V）。これらの特徴のおかげで低熱であり、放熱板の小型化、電気系統全体の効率化に役立ちます。
ショットキーダイオードは、2つの並列電源で電流を生成する分野で利用できます。その特性で順方向の電圧降下がわずかであるため、ショットキーダイオードは電源や回路分野の用途にも十分に適応しています。また、一方の電源から他方の電源への電流の逆流を防ぐこともできます。
太陽は1日24時間のエネルギー源としては利用できません。このため、エネルギーを蓄えるために、太陽電池はしばしば蓄電池に接続されます。SiCショットキーダイオードは、夜間、太陽電池経由での蓄電池からの放電、低性能太陽電池経由での高性能太陽電池からの放電を防ぐのに利用できます。
ショットキーダイオードは、高速クランプダイオード分野でスイッチとして利用されています。この分野では、ベース接合は順方向バイアスになります。ショットキーダイオードにより、ターンオフ時間が大幅に短縮され、回路速度が向上します。
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