低电压电机驱动

Wolfspeed 碳化硅可实现嵌入式电机驱动

包括工业低电压驱动在内的电机占全球工业用电的 50% 以上。工业低电压电机驱动传统上采用电机和驱动器单独外壳设计，并采用长电缆连接，这导致电机可靠性不佳，或因需要加入输出滤波器而增加成本，这会导致功率浪费并降低了整体系统效率。

如今，碳化硅正在推动向嵌入式电机驱动转变。在嵌入式电机驱动中，驱动和电机整合为一个单元，尺寸更小。将电机和驱动器整合可降低 20-40% 的整体系统成本，驱动效率可提升 2.6%，因此电机制造商可以达到 IE3 和 IE4 效率标准。

利用 Wolfspeed 650 V MOSFET 达到 IE4 效率标准

与高速度、软开关 IGBT 相比，Wolfspeed 650 V MOSFET 的导通损耗显著降低，几乎没有开关损耗，能够显著提升嵌入式工业电机驱动的性能。

在温度更高的环境下，通过采用 WolfPACK™，在提升效率的同时减小电机驱动器尺寸

即使散热器尺寸减小 77%，SiC MOSFET 的散热性能仍然优于所有 Si IGBT。

25 kW 逆变器，Fsw = 8 kHz，SiC MOSFET 散热器尺寸减小77%：0.31L (1.6°C/W) 对比 1.37 L (0.73°C/W)

上图展示了在 25 kW 逆变器（使用 0.8 L 散热器）中，碳化硅六管集成 WolfPACK 模块与 IGBT 模块对比，效率有所提升。随着功率水平的提升，50 A 和 100 A 额定电流 Si IGBT 的结温增加，导致 IGBT 失效，而 Wolfspeed 32 A SiC MOSFET 保持稳定，远低于失效阈值。

碳化硅在更高开关频率下仍然可以实现优异的性能

25 kW 逆变器，Fsw = 16 kHz，较大 Si IGBT 散热器：1.37 L (0.7°C/W)，较小 SiC 散热器 0.8 L (0.99°C/W)

在 16kHz 开关频率下，我们看到尽管其使用的散热器尺寸比 32 A Wolfspeed SiC MOSFET 大 41%，但 100 A 和 50 A 额定电流 Si IGBT 分别在超过 10 kW 和 15 kW 时出现热失效。

采用 SpeedFit™ 进行碳化硅效率仿真